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1. WO2022050167 - 半導体複合装置および半導体複合装置の製造方法

公開番号 WO/2022/050167
公開日 10.03.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/031336
国際出願日 26.08.2021
IPC
H01L 23/12 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 25/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
H05K 3/46 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
K印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3印刷回路を製造するための装置または方法
46多重層回路の製造
H02M 3/155 2006.1
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
3直流入力一直流出力変換
02中間に交流変換をもたないもの
04静止型変換器によるもの
10制御電極を有する放電管または制御電極を有する半導体装置を使用するもの
145制御信号の連続的印加を必要とする三極管またはトランジスタ型式の装置を用いるもの
155半導体装置のみを用いるもの
CPC
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 25/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
H02M 3/155
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
3Conversion of dc power input into dc power output
02without intermediate conversion into ac
04by static converters
10using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
145using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
155using semiconductor devices only
H05K 3/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
46Manufacturing multilayer circuits
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 北村 達矢 KITAMURA, Tatsuya
  • 姫田 ▲高▼志 HIMEDA, Koshi
  • 古川 剛史 FURUKAWA, Takeshi
代理人
  • 特許業務法人 安富国際特許事務所 YASUTOMI & ASSOCIATES
優先権情報
2020-14692901.09.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR COMPOSITE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR COMPOSITE DEVICE
(FR) DISPOSITIF COMPOSITE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF COMPOSITE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体複合装置および半導体複合装置の製造方法
要約
(EN) A semiconductor composite device 1 includes an active element 10 and a passive element 20 that are disposed so as to correspond to a plurality of channels and that form a voltage regulator; a load 30 to which DC voltage regulated by the voltage regulator is supplied; and a wiring substrate 40 electrically connected to the active element 10, the passive element 20, and the load 30. A plurality of capacitors (for example, output capacitors C1 and C2) arranged in the channels include a capacitor array 50 that includes and is formed integrally with a plurality of planarly arranged capacitor parts. The capacitor array 50 includes a plurality of through-hole conductors TH1 and TH2 that penetrate the capacitor array 50 in a direction perpendicular to the mounting surface of the wiring substrate 40. When viewed from the mounting surface of the wiring substrate 40, at least a portion of the capacitor array 50 is arranged at a position overlapping the load 30.
(FR) Un dispositif composite semi-conducteur (1) comprend un élément actif (10) et un élément passif (20) qui sont disposés de manière à correspondre à plusieurs canaux et qui forment un régulateur de tension ; une charge (30) à laquelle une tension CC régulée par le régulateur de tension est fournie ; et un substrat de câblage (40) connecté électriquement à l'élément actif (10), à l'élément passif (20) et à la charge (30). Plusieurs condensateurs (par exemple, des condensateurs de sortie C1 et C2) agencés dans les canaux comprennent un réseau de condensateurs (50) qui comprend et qui est formé d'un seul tenant avec plusieurs parties de condensateur agencées de façon plane. Le réseau de condensateurs (50) comprend plusieurs conducteurs traversants (TH1 et TH2) qui pénètrent dans le réseau de condensateurs (50) dans une direction perpendiculaire à la surface de montage du substrat de câblage (40). Lorsque le dispositif est vu depuis la surface de montage du substrat de câblage (40), au moins une partie du réseau de condensateurs (50) est disposée à une position chevauchant la charge (30).
(JA) 半導体複合装置1は、複数のチャネルに対応するように配置され、電圧レギュレータを構成するアクティブ素子10およびパッシブ素子20と、上記電圧レギュレータによって調整された直流電圧が供給される負荷30と、アクティブ素子10、パッシブ素子20および負荷30に電気的に接続される配線基板40と、を備える。チャネルに配置される複数のキャパシタ(例えば、出力キャパシタC1およびC2)は、平面配置された複数のキャパシタ部を含んで一体成型されたキャパシタアレイ50を含む。キャパシタアレイ50は、配線基板40の実装面に対して垂直な方向にキャパシタアレイ50を貫通する複数のスルーホール導体TH1およびTH2を有する。配線基板40の実装面から見て、キャパシタアレイ50の少なくとも一部が負荷30と重なる位置に配置されている。
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