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1. WO2022050099 - エッチング方法

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公開番号 WO/2022/050099
公開日 10.03.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/030739
国際出願日 23.08.2021
IPC
H01L 21/302 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/302
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
出願人
  • 株式会社ＡＤＥＫＡ ADEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 青木　雄太郎 AOKI, Yutaro
  • 木村　将之 KIMURA, Masayuki
  • 山下　敦史 YAMASHITA, Atsushi
代理人
  • 曾我　道治 SOGA, Michiharu
  • 梶並　順 KAJINAMI, Jun
  • 大宅　一宏 OYA, Kazuhiro
優先権情報
2020-14681601.09.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング方法
要約
(EN) This etching method is for etching, by means of an atomic layer etching method, a metal oxide film in a laminate including a substrate and the metal oxide film formed on the surface of the substrate, and comprises: a first step for introducing at least one oxidizable compound selected from the group consisting of an alcohol compound, an aldehyde compound, and an ester compound into a treatment atmosphere in which the laminate is held; and a second step for introducing, after the first step, oxidizing gas into the treatment atmosphere.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure qui est destiné à la gravure, au moyen d'un procédé de gravure de couche atomique, un film d'oxyde métallique dans un stratifié comprenant un substrat et le film d'oxyde métallique formé sur la surface du substrat, et comprend : une première étape consistant à introduire au moins un composé oxydable choisi dans le groupe constitué d'un composé alcool, d'un composé aldéhyde et d'un composé ester dans une atmosphère de traitement dans laquelle le stratifié est maintenu ; et une seconde étape pour introduire, après la première étape, un gaz oxydant dans l'atmosphère de traitement.
(JA) 基体とその表面に形成された金属酸化膜とを含む積層体における該金属酸化膜を原子層エッチング法によりエッチングする方法であって、該積層体を収容した処理雰囲気内に、アルコール化合物、アルデヒド化合物及びエステル化合物からなる群より選択される少なくとも１種の被酸化性化合物を導入する第１の工程と、該第１の工程後、該処理雰囲気内に、酸化性ガスを導入する第２の工程とを有する、エッチング方法。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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