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1. WO2022045160 - ワイドギャップ半導体装置

公開番号 WO/2022/045160
公開日 03.03.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/031066
国際出願日 25.08.2021
IPC
H01L 29/47 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
43構成材料に特徴のあるもの
47ショットキー障壁電極
H01L 29/872 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
86整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861ダイオード
872ショットキーダイオード
CPC
H01L 29/47
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
47Schottky barrier electrodes
H01L 29/872
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
872Schottky diodes
出願人
  • 新電元工業株式会社 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 前山 雄介 MAEYAMA Yusuke
  • 中村 俊一 NAKAMURA Shunichi
  • 大貫 仁 ONUKI Jin
代理人
  • 大野 聖二 OHNO Seiji
  • 大野 浩之 OHNO Hiroyuki
優先権情報
2020-14328427.08.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) WIDE GAP SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À LARGE BANDE INTERDITE
(JA) ワイドギャップ半導体装置
要約
(EN) This wide gap semiconductor device has a wide gap semiconductor layer 10, and a metal electrode 20 provided in the wide gap semiconductor layer 10. The metal electrode 20 has a single crystal layer 21 having a hexagonal close-packed structure (HCP) in an interface region on the metal electrode 20 side with the wide gap semiconductor layer 10. The single crystal layer 21 has a designated element content range 22 containing O, S, P or Se.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à large bande interdite comprenant une couche semi-conductrice à large bande interdite 10 et une électrode métallique 20 disposée dans la couche semi-conductrice à large bande interdite 10. L'électrode métallique 20 a une couche monocristalline 21 ayant une structure hexagonale compacte (HCP) dans une région d'interface sur le côté électrode métallique 20 avec la couche semi-conductrice à large bande interdite 10. La couche monocristalline 21 a une plage de contenu d'élément désigné 22 contenant O, S, P ou Se.
(JA) ワイドギャップ半導体装置は、ワイドギャップ半導体層10と、前記ワイドギャップ半導体層10に設けられた金属電極20と、を有している。前記金属電極20は前記ワイドギャップ半導体層10との金属電極20側の界面領域に六方最密充填構造(HCP)からなる単結晶層21を有している。前記単結晶層21はO、S、P又はSeを含有する指定元素含有量域22を有している。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報