(EN) This wide gap semiconductor device has a wide gap semiconductor layer 10, and a metal electrode 20 provided in the wide gap semiconductor layer 10. The metal electrode 20 has a single crystal layer 21 having a hexagonal close-packed structure (HCP) in an interface region on the metal electrode 20 side with the wide gap semiconductor layer 10. The single crystal layer 21 has a designated element content range 22 containing O, S, P or Se.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à large bande interdite comprenant une couche semi-conductrice à large bande interdite 10 et une électrode métallique 20 disposée dans la couche semi-conductrice à large bande interdite 10. L'électrode métallique 20 a une couche monocristalline 21 ayant une structure hexagonale compacte (HCP) dans une région d'interface sur le côté électrode métallique 20 avec la couche semi-conductrice à large bande interdite 10. La couche monocristalline 21 a une plage de contenu d'élément désigné 22 contenant O, S, P ou Se.
(JA) ワイドギャップ半導体装置は、ワイドギャップ半導体層１０と、前記ワイドギャップ半導体層１０に設けられた金属電極２０と、を有している。前記金属電極２０は前記ワイドギャップ半導体層１０との金属電極２０側の界面領域に六方最密充填構造（ＨＣＰ）からなる単結晶層２１を有している。前記単結晶層２１はＯ、Ｓ、Ｐ又はＳｅを含有する指定元素含有量域２２を有している。
