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1. WO2022004165 - 大口径III族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法

公開番号 WO/2022/004165
公開日 06.01.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/018734
国際出願日 18.05.2021
IPC
C30B 29/38 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
H01L 21/205 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人
  • 信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP]/[JP]
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 久保田 芳宏 KUBOTA Yoshihiro
  • 川原 実 KAWAHARA Minoru
  • 山田 雅人 YAMADA Masato
代理人
  • 折坂 茂樹 ORISAKA Shigeki
優先権情報
2020-11447501.07.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LARGE-DIAMETER SUBSTRATE FOR GROUP-III NITRIDE EPITAXIAL GROWTH AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) SUBSTRAT À GRAND DIAMÈTRE POUR LA CROISSANCE ÉPITAXIALE DE NITRURE DU GROUPE III ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELUI-CI
(JA) 大口径III族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法
要約
(EN) Provided are: a substrate for group-III nitride epitaxial growth that is capable of producing high-quality single crystals of group-III nitride at a low cost; and a method for producing the substrate. This substrate for group-III nitride epitaxial growth comprises: a supporting substrate having a structure in which a core comprising nitride ceramics is enveloped by a sealing layer having a thickness of 0.05-1.5 µm; a planarizing layer disposed on the top surface of the supporting substrate and having a thickness of 0.5-3.0 µm; and a single-crystal seed crystal layer disposed on the top surface of the planarizing layer, having an uneven pattern on the surface thereof and having a thickness of 0.1-1.5 µm.
(FR) L'invention concerne : un substrat pour la croissance épitaxiale de nitrure du groupe III qui est en mesure de produire un monocristal de nitrure du groupe III de haute qualité à faible coût; et un procédé de production du substrat. Ce substrat pour la croissance épitaxiale de nitrure du groupe III comprend : un substrat support présentant une structure dans laquelle un noyau constitué de céramiques à base de nitrure est enveloppé par une couche d'étanchéité présentant une épaisseur de 0,05-1,5 µm ; une couche de planarisation disposée sur la surface supérieure du substrat support et présentant une épaisseur de 0,5-3,0 µm ; et une couche de germe cristallin disposée sur la surface supérieure de la couche de planarisation, ayant un motif inégal sur sa surface et présentant une épaisseur de 0,1-1,5 µm.
(JA) III族窒化物の単結晶を高品質で安価に作製可能なIII族窒化物エピタキシャル成長用基板とその製造方法を提供する。 本発明に係るIII族窒化物系エピタキシャル成長用基板は、窒化物セラミックスからなるコアが厚み0.05μm以上1.5μm以下の封止層で包み込まれた構造を有する支持基板と、支持基板の上面に設けられ、0.5μm以上3.0μm以下の厚みを有する平坦化層と、平坦化層の上面に設けられ、表面に凹凸パターンを有する0.1μm以上1.5μm以下の厚みの単結晶の種結晶層とを備える。
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