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1. WO2021079745 - 半導体基板の製造方法及び半導体基板

公開番号 WO/2021/079745
公開日 29.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/038088
国際出願日 08.10.2020
IPC
C30B 25/18 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
18基板によって特徴づけられたもの
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01L 21/318 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
318窒化物からなるもの
H01L 27/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
12基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 二井谷 美保 NIITANI Miho
  • 若林 大士 WAKABAYASHI Taishi
  • 山田 健人 YAMADA Kento
  • 吉田 和彦 YOSHIDA Kazuhiko
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
優先権情報
2019-19354724.10.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板の製造方法及び半導体基板
要約
(EN)
The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor substrate having a semiconductor single crystal layer on an insulating film by sequentially forming the insulating film and the semiconductor single crystal layer on the surface of a silicon single crystal substate, the method comprising at least: a step for heat-treating a silicon single crystal substrate in a nitrogen gas-containing atmosphere and forming, as the insulating film, a silicon nitride film having an epitaxial relationship with the silicon single crystal substrate on the surface of the silicon single crystal substrate; and a step for epitaxially growing the semiconductor single crystal layer on the silicon nitride film. Accordingly, provided are: a method of manufacturing a semiconductor substrate, with which a semiconductor substrate can be obtained with high productivity at low cost in a simple manner even when an insulating film provided between a silicon single crystal substrate and a semiconductor single crystal layer is a silicon nitride film; and a semiconductor substrate.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur ayant une couche monocristalline semi-conductrice sur un film isolant par formation séquentielle du film isolant et de la couche monocristalline semi-conductrice sur la surface d'un substrat monocristallin de silicium, le procédé comprenant au moins : une étape de traitement thermique d'un substrat monocristallin de silicium dans une atmosphère contenant de l'azote gazeux et de formation, en tant que film isolant, d'un film de nitrure de silicium ayant une relation épitaxiale avec le substrat monocristallin de silicium sur la surface du substrat monocristallin de silicium ; et une étape de croissance épitaxiale de la couche monocristalline semi-conductrice sur le film de nitrure de silicium. Par conséquent, la présente invention concerne : un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur, selon lequel un substrat semi-conducteur peut être obtenu avec une productivité élevée à faible coût d'une manière simple même lorsqu'un film isolant disposé entre un substrat monocristallin de silicium et une couche monocristalline semi-conductrice est un film de nitrure de silicium ; et un substrat semi-conducteur.
(JA)
本発明は、シリコン単結晶基板の表面に、絶縁膜と、半導体単結晶層とを順次形成することによって、前記絶縁膜上に前記半導体単結晶層を有する半導体基板を製造する方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板を、窒素ガス含有雰囲気下で熱処理し、絶縁膜として前記シリコン単結晶基板の表面に前記シリコン単結晶基板とエピタキシャルな関係を保持した窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜上に半導体単結晶層をエピタキシャル成長する工程とを有する半導体基板の製造方法である。これにより、シリコン単結晶基板と半導体単結晶層との間に設ける絶縁膜を窒化シリコン膜とした場合でも、簡便な方法で生産性高く低コストで半導体基板を得ることができる半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。
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