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1. WO2021079427 - 半導体装置

公開番号 WO/2021/079427
公開日 29.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2019/041486
国際出願日 23.10.2019
IPC
H01L 23/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
H01L 21/56 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56封緘,例.封緘層,被覆
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 國重 友里 KUNISHIGE Yuri
  • 中野 啓之 NAKANO Hiroyuki
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
This semiconductor device comprises a semiconductor substrate (10), an electrode (11) and wiring (12) formed on the semiconductor substrate (10), and a protective film that covers the semiconductor substrate (10). The protective film includes a main protective film (20) that covers at least a portion of the electrode (11) and the wiring (12) and dummy protective films (21) that are each independently formed at corner portions (10a) of the semiconductor substrate (10). The main protective film (20) has chamfered portions (20a) at the respective corner portions (10a) of the semiconductor substrate (10) in plan view. The dummy protective films (21) are disposed spaced from the main protective film (20) outside the chamfered portions (20a).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur (10), une électrode (11) et un câblage (12) formé sur le substrat semi-conducteur (10) et un film protecteur qui recouvre le substrat semi-conducteur (10). Le film protecteur comprend un film protecteur principal (20) qui recouvre au moins une partie de l'électrode (11) et du câblage (12) et des films de protection factices (21) qui sont chacun indépendamment formés au niveau de parties de coin (10a) du substrat semi-conducteur (10). Le film protecteur principal (20) comporte des parties chanfreinées (20a) au niveau des parties de coin respectives (10a) du substrat semi-conducteur (10) dans une vue en plan. Les films protecteurs factices (21) sont disposés à distance du film protecteur principal (20) à l'extérieur des parties chanfreinées (20a).
(JA)
半導体装置は、半導体基板(10)と、半導体基板(10)上に形成された電極(11)および配線(12)と、半導体基板(10)上を覆う保護膜とを備える。当該保護膜は、電極(11)および配線(12)の少なくとも一部を覆うメイン保護膜(20)と、半導体基板(10)の各コーナー部(10a)にそれぞれ独立して形成されたダミー保護膜(21)とを含む。メイン保護膜(20)は、平面視で半導体基板(10)の各コーナー部(10a)において面取り部(20a)を有する。ダミー保護膜(21)は、面取り部(20a)の外側にメイン保護膜(20)から離間して配置されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報