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1. WO2021075384 - 成膜方法及び成膜装置

公開番号 WO/2021/075384
公開日 22.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/038355
国際出願日 09.10.2020
IPC
C23C 14/54 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
54被覆工程の制御または調整
C23C 14/24 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
24真空蒸着
出願人
  • 学校法人東海大学 TOKAI UNIVERSITY EDUCATIONAL SYSTEM [JP]/[JP]
  • 株式会社シンクロン SHINCRON CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 室谷 裕志 MUROTANI, Hiroshi
  • 宮内 充祐 MIYAUCHI, Mitsuhiro
  • 大瀧 芳幸 OHTAKI, Yoshiyuki
  • 長谷川 友和 HASEGAWA, Tomokazu
  • 松平 学幸 MATSUDAIRA, Takayuki
代理人
  • とこしえ特許業務法人 TOKOSHIE PATENT FIRM
優先権情報
PCT/JP2019/04045615.10.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法及び成膜装置
要約
(EN)
The present invention comprises: installing, inside a film-forming chamber (2a), at least a vapor deposition material and substrates (S); supplying a gas that does not change the composition of exhaust gas and/or the vapor deposition material to establish, for a first region (A) that includes the substrates (S) inside the film-forming chamber (2a), an atmosphere of 0.05 to 100 Pa and to establish, for a second region (B) that includes the vapor deposition material inside the film-forming chamber (2a), an atmosphere of no more than 0.05 Pa; and, in this state, using vacuum deposition to vaporize the vapor deposition material in the second region (B) and form a film from the vapor deposition material that has been vaporized onto an object which is subject to deposition in the first region (A).
(FR)
La présente invention comprend : l'installation, à l'intérieur d'une chambre de formation de film (2a), d'au moins un matériau de dépôt en phase vapeur et de substrats (S) ; la fourniture d'un gaz qui ne change pas la composition du gaz d'échappement et/ou du matériau de dépôt en phase vapeur pour établir, pour une première région (A) qui comprend les substrats (S) à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a), une atmosphère de 0,05 à 100 Pa et pour établir, pour une seconde région (B) qui comprend le matériau de dépôt en phase vapeur à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a), une atmosphère ne dépassant pas 0,05 Pa ; et, dans cet état, l'utilisation du dépôt sous vide pour vaporiser le matériau de dépôt en phase vapeur dans la seconde région (B) et former un film à partir du matériau de dépôt en phase vapeur qui a été vaporisé sur un objet qui est soumis à un dépôt dans la première région (A).
(JA)
成膜室(2a)の内部に少なくとも蒸着材料と基板(S)を設置し、排気及び/又は蒸着材料の組成を変えないガスの供給により、前記成膜室(2a)の内部の前記基板(S)を含む第1領域(A)を0.05~100Paの雰囲気に設定し、前記成膜室(2a)の内部の前記蒸着材料を含む第2領域(B)を0.05Pa以下の雰囲気に設定し、この状態で、真空蒸着法により、第2領域(B)において蒸着材料を蒸発させ、第1領域(A)において被蒸着物に蒸発した蒸着材料を成膜する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報