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1. WO2021075384 - 成膜方法及び成膜装置

公開番号 WO/2021/075384
公開日 22.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/038355
国際出願日 09.10.2020
IPC
C23C 14/54 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
54被覆工程の制御または調整
C23C 14/24 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
24真空蒸着
CPC
C23C 14/24
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
24Vacuum evaporation
C23C 14/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
54Controlling or regulating the coating process
出願人
  • 学校法人東海大学 TOKAI UNIVERSITY EDUCATIONAL SYSTEM [JP]/[JP]
  • 株式会社シンクロン SHINCRON CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 室谷 裕志 MUROTANI, Hiroshi
  • 宮内 充祐 MIYAUCHI, Mitsuhiro
  • 大瀧 芳幸 OHTAKI, Yoshiyuki
  • 長谷川 友和 HASEGAWA, Tomokazu
  • 松平 学幸 MATSUDAIRA, Takayuki
代理人
  • とこしえ特許業務法人 TOKOSHIE PATENT FIRM
優先権情報
PCT/JP2019/04045615.10.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法及び成膜装置
要約
(EN)
The present invention comprises: installing, inside a film-forming chamber (2a), at least a vapor deposition material and substrates (S); supplying a gas that does not change the composition of exhaust gas and/or the vapor deposition material to establish, for a first region (A) that includes the substrates (S) inside the film-forming chamber (2a), an atmosphere of 0.05 to 100 Pa and to establish, for a second region (B) that includes the vapor deposition material inside the film-forming chamber (2a), an atmosphere of no more than 0.05 Pa; and, in this state, using vacuum deposition to vaporize the vapor deposition material in the second region (B) and form a film from the vapor deposition material that has been vaporized onto an object which is subject to deposition in the first region (A).
(FR)
La présente invention comprend : l'installation, à l'intérieur d'une chambre de formation de film (2a), d'au moins un matériau de dépôt en phase vapeur et de substrats (S) ; la fourniture d'un gaz qui ne change pas la composition du gaz d'échappement et/ou du matériau de dépôt en phase vapeur pour établir, pour une première région (A) qui comprend les substrats (S) à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a), une atmosphère de 0,05 à 100 Pa et pour établir, pour une seconde région (B) qui comprend le matériau de dépôt en phase vapeur à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a), une atmosphère ne dépassant pas 0,05 Pa ; et, dans cet état, l'utilisation du dépôt sous vide pour vaporiser le matériau de dépôt en phase vapeur dans la seconde région (B) et former un film à partir du matériau de dépôt en phase vapeur qui a été vaporisé sur un objet qui est soumis à un dépôt dans la première région (A).
(JA)
成膜室(2a)の内部に少なくとも蒸着材料と基板(S)を設置し、排気及び/又は蒸着材料の組成を変えないガスの供給により、前記成膜室(2a)の内部の前記基板(S)を含む第1領域(A)を0.05~100Paの雰囲気に設定し、前記成膜室(2a)の内部の前記蒸着材料を含む第2領域(B)を0.05Pa以下の雰囲気に設定し、この状態で、真空蒸着法により、第2領域(B)において蒸着材料を蒸発させ、第1領域(A)において被蒸着物に蒸発した蒸着材料を成膜する。
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