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1. WO2021075353 - 半導体集積回路装置

公開番号 WO/2021/075353
公開日 22.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/038192
国際出願日 08.10.2020
IPC
H01L 21/82 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
出願人
  • 株式会社ソシオネクスト SOCIONEXT INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 小室 秀幸 KOMURO Hideyuki
  • 日野 寿雄 HINO Toshio
  • 鶴田 智也 TSURUTA Tomoya
代理人
  • 特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS
優先権情報
2019-19137218.10.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積回路装置
要約
(EN)
A power supply wiring structure that supplies electrical power to a standard cell, wherein a region for laying signal wiring is ensured, and higher integration and smaller area of a semiconductor integrated circuit device are realized. Embedded power supply wiring (3) extending in a X direction is positioned with a prescribed gap in a Y direction. Local power supply wiring (5) extending in the Y direction is connected to the embedded power supply wiring (3). Metal power supply wiring (7) extending in the X direction is formed on an upper-layer metal wiring layer, the metal power supply wiring (7) being connected to the local power supply wiring (5). The Y-direction positioning interval of the metal power supply wiring (7) is greater than the positioning interval of the embedded power supply wiring (3).
(FR)
Structure de câblage d'alimentation électrique qui fournit de l'énergie électrique à une cellule standard, une région pour la pose d'un câblage de signal étant assurée, et une intégration plus élevée et une zone plus petite d'un dispositif de circuit intégré à semi-conducteur étant réalisées. Un câblage d'alimentation électrique intégré (3) s'étendant dans une direction X est positionné avec un espace prescrit dans une direction Y. Un câblage d'alimentation électrique Local (5) s'étendant dans la direction Y est connecté au câblage d'alimentation électrique intégré (3). Un câblage d'alimentation électrique métallique (7) s'étendant dans la direction X est formé sur une couche de câblage métallique de couche supérieure, le câblage d'alimentation électrique métallique (7) étant connecté au câblage d'alimentation électrique local (5). L'intervalle de positionnement dans la direction Y du câblage d'alimentation électrique métallique (7) est supérieur à l'intervalle de positionnement du câblage d'alimentation électrique intégré (3).
(JA)
スタンダードセルに電源を供給する電源配線構造において、信号配線を敷設する領域を確保して、半導体集積回路装置の高集積化、小面積化を実現する。X方向に延びる埋め込み電源配線(3)が、Y方向において所定間隔で配置されている。Y方向に延びるローカル電源配線(5)が、埋め込み電源配線(3)と接続されている。上層のメタル配線層に、X方向に延びるメタル電源配線(7)が形成されており、メタル電源配線(7)はローカル電源配線(5)と接続されている。メタル電源配線(7)のY方向における配置間隔は、埋め込み電源配線(3)の配置間隔よりも大きい。
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