処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2021070753 - 窒化ガリウム粒子およびその製造方法

公開番号 WO/2021/070753
公開日 15.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/037602
国際出願日 02.10.2020
IPC
C01B 21/06 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
21窒素;その化合物
06窒素と金属,けい素またはほう素とからなる二元化合物
C23C 14/06 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
H01L 21/203 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
出願人
  • 東ソー株式会社 TOSOH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 召田雅実 MESUDAMasami
  • 倉持豪人 KURAMOCHIHideto
  • 原慎一 HARAShinichi
優先権情報
2019-18448007.10.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) GALLIUM NITRIDE PARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PARTICULES DE NITRURE DE GALLIUM ET LEUR MÉTHODE DE PRODUCTION
(JA) 窒化ガリウム粒子およびその製造方法
要約
(EN)
Provided are low-oxygen-content, high-purity gallium nitride particles that are suitable as a feedstock or for sintered compacts. The present invention uses gallium nitride particles that are characterized by having an oxygen content of 0.5 at% or less, and having a total impurity content of less than 10 wt ppm of the elements Si, Ge, Sn, Pb, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, and Cd.
(FR)
L'invention concerne des particules de nitrure de gallium de haute pureté et à faible teneur en oxygène qui sont appropriées en tant que charge d'alimentation ou pour des compacts frittés. La présente invention utilise des particules de nitrure de gallium qui sont caractérisées en ce qu'elles présentent une teneur en oxygène de 0,5 % atomique ou moins, et en ce qu'elles présentent une teneur totale en impuretés inférieure à 10 ppm en poids des éléments Si, Ge, Sn, Pb, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn et Cd.
(JA)
原料や焼結体に好適な酸素含有量が少なく高純度の窒化ガリウム粒子を提供する。 酸素含有量が0.5at%以下であり、Si、Ge、Sn、Pb,Be,Mg、Ca、Sr,Ba,Zn、Cd、の元素の合計不純物量が10wtppm未満であることを特徴とする窒化ガリウム粒子を用いる。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報