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1. WO2021065259 - 半導体装置

公開番号 WO/2021/065259
公開日 08.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/032300
国際出願日 27.08.2020
IPC
H01L 23/34 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
H01L 23/473 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
46流動流体による熱の移動によるもの
473液体を流すことによるもの
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H05K 7/20 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
K印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
7異なる型の電気装置に共通の構造的細部
20冷却,換気または加熱を容易にするための変形
H02M 3/155 2006.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
3直流入力一直流出力変換
02中間に交流変換をもたないもの
04静止型変換器によるもの
10制御電極を有する放電管または制御電極を有する半導体装置を使用するもの
145制御信号の連続的印加を必要とする三極管またはトランジスタ型式の装置を用いるもの
155半導体装置のみを用いるもの
CPC
H01L 23/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
H01L 23/473
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
46involving the transfer of heat by flowing fluids
473by flowing liquids
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
H02M 3/155
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
3Conversion of dc power input into dc power output
02without intermediate conversion into ac
04by static converters
10using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
145using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
155using semiconductor devices only
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 木村 光徳 KIMURA Mitsunori
  • 塩見 和敏 SHIOMI Kazutoshi
  • 松岡 哲矢 MATSUOKA Tetsuya
代理人
  • 矢作 和行 YAHAGI Kazuyuki
  • 久保 貴則 KUBO Takanori
  • 野々部 泰平 NONOBE Taihei
優先権情報
2019-18166101.10.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
A semiconductor device (1) comprises a plurality of semiconductor switching elements (11, 11a). Among the plurality of semiconductor switching elements, only some of the semiconductor switches are second switching elements (11a) provided with a physical information detection unit for detecting physical information. Among the plurality of semiconductor switching elements, first switching elements (11), which differ from the second switching elements (11a), have, as electrodes, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode (113), and a kelvin source electrode (114). The second switching elements (11a) have, as electrodes, a detection electrode (115) in addition to a source electrode, a drain electrode, a gate electrode (113), and a kelvin source electrode (114).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) qui comprend une pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteur (11, 11a). Parmi la pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteur, seule une partie des commutateurs à semi-conducteur sont des seconds éléments de commutation (11a) dotés d'une unité de détection d'informations physiques servant à détecter des informations physiques. Parmi la pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteur, des premiers éléments de commutation (11), qui diffèrent des seconds éléments de commutation (11a), comportent, en tant qu'électrodes, une électrode source, une électrode déversoir, une électrode grille (113), et une électrode source de kelvin (114). Les seconds éléments de commutation (11a) comportent, en tant qu'électrodes, une électrode de détection (115) en plus d'une électrode source, d'une électrode déversoir, d'une électrode grille (113) et d'une électrode source de kelvin (114).
(JA)
半導体装置(1)は、複数の半導体スイッチング素子(11,11a)を備えている。複数の半導体スイッチング素子は、一部の半導体スイッチのみが、物理情報を検出するための物理情報検出部が設けられた第2スイッチング素子(11a)である。複数の半導体スイッチング素子における第2スイッチング素子(11a)とは異なる第1スイッチング素子(11)は、電極として、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極(113)、ケルビンソース電極(114)を有している。第2スイッチング素子(11a)は、電極として、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極(113)、ケルビンソース電極(114)に加えて検出用電極(115)を有している。
他の公開
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