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1. WO2021064816 - 下地基板及びその製造方法

公開番号 WO/2021/064816
公開日 08.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2019/038598
国際出願日 30.09.2019
IPC
C30B 29/16 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
16酸化物
H01L 21/365 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
365固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/368 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368液相成長を用いるもの
出願人
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 福井 宏史 FUKUI Hiroshi
  • 渡邊 守道 WATANABE Morimichi
  • 吉川 潤 YOSHIKAWA Jun
代理人
  • 高村 雅晴 TAKAMURA Masaharu
  • 加島 広基 KASHIMA Hiromoto
  • 長谷川 悠 HASEGAWA Yu
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) BASE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT DE BASE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 下地基板及びその製造方法
要約
(EN)
The present invention provides a base substrate which is provided with an alignment layer that is used for crystal growth of a nitride or oxide of a group 13 element, and which is capable of reducing crystal defects of a semiconductor film to be formed thereon, while making the semiconductor film less susceptible to separation during the film formation. A composite base substrate according to the present invention is provided with an alignment layer that is used for crystal growth of a semiconductor film which is configured from α-Ga2O3 or an α-Ga2O3 solid solution; and the alignment layer is configured from a material that contains Mg in addition to α-Cr2O3 or an α-Cr2O3 solid solution. Another embodiment of this composite base substrate is provided with an alignment layer that is used for crystal growth of a semiconductor film which is configured from α-Ga2O3 or an α-Ga2O3 solid solution; and the alignment layer is configured from a material that contains Si and/or Ca in addition to α-Cr2O3 or an α-Cr2O3 solid solution.
(FR)
La présente invention concerne un substrat de base qui est pourvu d'une couche d'alignement qui est utilisée pour la croissance cristalline d'un nitrure ou d'un oxyde d'un élément du groupe 13, et qui est capable de réduire les défauts cristallins d'un film semi-conducteur devant être formé sur celui-ci, tout en rendant le film semi-conducteur moins susceptible de séparation pendant la formation de film. Un substrat de base composite selon la présente invention est pourvu d'une couche d'alignement qui est utilisée pour la croissance cristalline d'un film semi-conducteur qui est conçu à partir d'α-Ga2O3 ou d'une solution solide d'α-Ga2O3 ; et la couche d'alignement est conçue à partir d'un matériau qui contient du Mg en plus de l'α-Cr2O3 ou d'une solution solide d'α-Cr2O3. Un autre mode de réalisation de ce substrat de base composite est pourvu d'une couche d'alignement qui est utilisée pour la croissance cristalline d'un film semi-conducteur qui est conçu à partir d'α-Ga2O3 ou d'une solution solide d'α-Ga2O3 ; et la couche d'alignement est conçue à partir d'un matériau qui contient du Si et/ou du Ca en plus de l'α-Cr2O3 ou d'une solution solide d'α-Cr2O3.
(JA)
13族元素の窒化物又は酸化物の結晶成長のために用いられる配向層を備えた下地基板であって、その上に形成されることになる半導体膜の結晶欠陥を少なく、かつ、成膜時に剥離しづらいものとすることができる下地基板を提供される。この複合下地基板は、α-Ga、又はα-Ga系固溶体で構成される半導体膜の結晶成長のために用いられる配向層を備えた下地基板であって、配向層がα-Cr、又はα-Cr系固溶体に、Mgを含有した材料で構成される。また、この複合下地基板の別の態様は、α-Ga、又はα-Ga系固溶体で構成される半導体膜の結晶成長のために用いられる配向層を備えた下地基板であって、配向層がα-Cr、又はα-Cr系固溶体に、Si及び/又はCaを含有した材料で構成される。
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