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1. WO2021060368 - SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶ウェハ

公開番号 WO/2021/060368
公開日 01.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/036003
国際出願日 24.09.2020
IPC
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 33/02 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
33単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理
02熱処理
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/324 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
CPC
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
C30B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
02Heat treatment
H01L 21/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
H01L 21/324
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
出願人
  • 学校法人関西学院 KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION [JP]/[JP]
  • 豊田通商株式会社 TOYOTA TSUSHO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 金子 忠昭 KANEKO, Tadaaki
代理人
  • 辻田 朋子 TSUJITA, Tomoko
優先権情報
2019-17806927.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SIC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD, SIC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE, AND SIC SINGLE CRYSTAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL DE SIC, DISPOSITIF DE FABRICATION DE MONOCRISTAL DE SIC ET TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SIC
(JA) SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶ウェハ
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing a new SiC single crystal body in which SiC sublimation is suppressed and internal stress is reduced. In order to solve the problem, a SiC single crystal manufacturing method according to the present invention has a stress reduction step for reducing the internal stress of a SiC single crystal body by heating the SiC single crystal body at not less than 1800°C under an atmosphere including elements Si and C. In addition, a SiC single crystal manufacturing device according to the present invention is provided with: a body container that is formed from a SiC material and is capable of housing the SiC single crystal body; and a heating furnace that is capable of heating the body container at not less than 1800°C.
(FR)
La présente invention traite le problème de la fourniture d'un nouveau corps monocristallin de SiC dans lequel la sublimation de SiC est supprimée et la contrainte interne est réduite. Afin de résoudre le problème, un procédé de fabrication de monocristal de SiC selon la présente invention présente une étape de réduction de contrainte pour réduire la contrainte interne d'un corps monocristallin de SiC par chauffage du corps monocristallin de SiC à une température supérieure ou égale à 1 800 °C sous une atmosphère comprenant des éléments Si et C. En outre, un dispositif de fabrication de monocristal de SiC selon la présente invention comprend : un récipient de corps qui est formé à partir d'un matériau de SiC et qui est susceptible de loger le corps monocristallin de SiC ; et un four de chauffage qui peut chauffer le récipient de corps à une température supérieure ou égale à 1 800° C.
(JA)
本発明は、SiC昇華を抑制しつつ内部応力が低減されたような新規なSiC単結晶体を提供することを解決すべき課題とする。 上記課題を解決するために、本発明は、SiC単結晶体を、Si元素及びC元素を含む雰囲気下で、1800℃以上で加熱し前記SiC単結晶体の内部応力を低減する応力低減工程を有するSiC単結晶の製造方法である。また、本発明は、SiC材料で構成されSiC単結晶体を収容可能な本体容器と、前記本体容器を1800℃以上で加熱可能な加熱炉と、を備えるSiC単結晶の製造装置である。
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