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1. WO2021060267 - 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法

公開番号 WO/2021/060267
公開日 01.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/035772
国際出願日 23.09.2020
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
CPC
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
出願人
  • 三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 岡野 晋 OKANO Shin
  • 西村 和泰 NISHIMURA Kazuhiro
代理人
  • 松沼 泰史 MATSUNUMA Yasushi
  • 寺本 光生 TERAMOTO Mitsuo
  • 細川 文広 HOSOKAWA Fumihiro
  • 大浪 一徳 ONAMI Kazunori
優先権情報
2019-17653527.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CYLINDRIQUE ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(JA) 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法
要約
(EN)
A cylindrical sputtering target (1) comprises a cylindrical target (2) which has flexural strength of 350 MPa or less, a cylindrical backing tube (3) which is arranged so as to be inserted into the target (2), a spacer (4) which is interposed in a gap between the target (2) and the backing tube (3), and a bonding part (5) which can make an inner peripheral surface (21) of the target (2) and an outer peripheral surface (31) of the backing tube (3) into a bonded state, wherein the spacer (4) has Vickers hardness of 60 Hv or less and a thermal conductivity of 100 W/(m•K) or more.
(FR)
L'invention concerne une cible de pulvérisation cylindrique (1), laquelle cible comprend une cible cylindrique (2) qui a une résistance à la flexion de 350 MPa ou moins, un tube de support cylindrique (3) qui est agencé de manière à être inséré dans la cible (2), un élément d'espacement (4) qui est interposé dans un intervalle entre la cible (2) et le tube de support (3), et une partie de liaison (5) qui peut mettre une surface périphérique interne (21) de la cible (2) et une surface périphérique externe (31) du tube de support (3) dans un état lié, l'élément d'espacement (4) ayant une dureté Vickers de 60 Hv ou moins et une conductivité thermique de 100 W/(m • K) ou plus.
(JA)
この円筒形スパッタリングターゲット(1)は、抗折強度が350MPa以下の円筒形のターゲット(2)と、ターゲット(2)内に挿入状態に配置された円筒形のバッキングチューブ(3)と、ターゲット(2)とバッキングチューブ(3)との隙間に介在するスペーサ(4)と、ターゲット(2)の内周面(21)とバッキングチューブ(3)の外周面(31)との間を接合状態とする接合部(5)と、が形成されてなり、スペーサ(4)は、ビッカース硬度が60Hv以下で熱伝導率が100W/(m・K)以上である。
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