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1. WO2021059676 - 撮像装置及び電子機器

公開番号 WO/2021/059676
公開日 01.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/027238
国際出願日 13.07.2020
IPC
H01L 51/42 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 31/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 27/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 27/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
30with components specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; with components specially adapted for either the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H01L 51/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 伊藤 隆 ITO Takashi
代理人
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 小林 龍 KOBAYASHI Toru
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
優先権情報
2019-17681727.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGE-CAPTURING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像装置及び電子機器
要約
(EN)
Provided is an image-capturing device and an electronic apparatus that can suppress performance degradation caused by charge accumulation. The image-capturing device comprises: a photoelectric conversion layer having a first surface and a second surface disposed on the opposite side from the first surface; a first electrode disposed near the first surface; and a second electrode disposed near the second surface. Assuming that a region superimposed on the first electrode is a first region and a region placed out of the first electrode is a second region in the thickness direction of the photoelectric conversion layer, the first thickness of the photoelectric conversion layer in at least a part of the first region is smaller than the second thickness of the photoelectric conversion layer in the second region.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de capture d'image et un appareil électronique qui peuvent supprimer la dégradation de performance provoquée par l'accumulation de charge. Le dispositif de capture d'image comprend : une couche de conversion photoélectrique ayant une première surface et une seconde surface disposée sur le côté opposé à la première surface ; une première électrode disposée à proximité de la première surface ; et une seconde électrode disposée à proximité de la seconde surface. Partant de l’hypothèse qu'une région superposée sur la première électrode est une première région et qu'une région placée à l'extérieur de la première électrode est une seconde région dans le sens de l'épaisseur de la couche de conversion photoélectrique, la première épaisseur de la couche de conversion photoélectrique dans au moins une partie de la première région est inférieure à la seconde épaisseur de la couche de conversion photoélectrique dans la seconde région.
(JA)
電荷の蓄積による性能低下を抑制できるようにした撮像装置及び電子機器を提供する。撮像装置は、第1面と、第1面の反対側に位置する第2面とを有する光電変換層と、第1面側に位置する第1電極と、第2面側に位置する第2電極と、を備える。光電変換層の厚さ方向において、第1電極と重なる領域を第1領域とし、第1電極から外れる領域を第2領域とすると、第1領域の少なくとも一部における光電変換層の第1膜厚は、第2領域における光電変換層の第2膜厚よりも薄い。
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