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1. WO2021054207 - 半導体装置

公開番号 WO/2021/054207
公開日 25.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/033990
国際出願日 08.09.2020
IPC
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H01G 4/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Gコンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4固定コンデンサ;その製造方法
30積層型コンデンサ
H01G 4/33 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Gコンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4固定コンデンサ;その製造方法
33薄膜または厚膜コンデンサ
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
CPC
H01G 4/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
30Stacked capacitors
H01G 4/33
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
33Thin- or thick-film capacitors
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山口 陽平 YAMAGUCHI, Yohei
  • 芦峰 智行 ASHIMINE, Tomoyuki
  • 村瀬 康裕 MURASE, Yasuhiro
代理人
  • 山尾 憲人 YAMAO, Norihito
  • 吉田 環 YOSHIDA, Tamaki
優先権情報
2019-17153320.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device in which a decrease in dielectric breakdown strength of a dielectric film (deterioration of withstand voltage resistance of the dielectric film) is suppressed. The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate having a first main surface and a second main surface facing each other; a dielectric film arranged on a part of the first main surface; a first electrode layer arranged on a part of the dielectric film; and a protective layer that continuously covers from the end portion of the first electrode layer to a first outer peripheral edge of the dielectric film. The dielectric film has an electrode layer arrangement portion on which the first electrode layer is arranged and a protective layer covering portion covered by the protective layer. The thickness of the dielectric film at the first outer peripheral edge of the protective layer covering portion is smaller than the thickness of the electrode layer arrangement portion of the dielectric film. The protective layer includes a first protective layer that continuously covers a second outer peripheral edge of the first electrode layer and at least a part of the protective layer covering portion, and a second protective layer arranged on the first protective layer. The first protective layer has a lower relative permittivity than the second protective layer. The second protective layer has higher moisture resistance than the first protective layer.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel une diminution de la résistance à la rupture diélectrique d'un film diélectrique (détérioration de la résistance à la tension de tenue du film diélectrique) est supprimée. Le dispositif à semi-conducteur comprend : un substrat semi-conducteur ayant une première surface principale et une seconde surface principale qui sont opposées l'une à l'autre ; un film diélectrique disposé sur une partie de la première surface principale ; une première couche d'électrode disposée sur une partie du film diélectrique ; et une couche de protection qui recouvre, d'une manière continue, la zone allant de la partie d'extrémité de la première couche d'électrode à un premier bord périphérique extérieur du film diélectrique. Le film diélectrique a une partie de disposition de couche d'électrode sur laquelle la première couche d'électrode est disposée, et une partie de couvercle de couche de protection recouverte par la couche de protection. L'épaisseur du film diélectrique au niveau du premier bord périphérique extérieur de la partie de couvercle de couche de protection est inférieure à l'épaisseur de la partie de disposition de couche d'électrode du film diélectrique. La couche de protection comprend une première couche de protection qui recouvre en continu un second bord périphérique externe de la première couche d'électrode et au moins une partie de la partie de couvercle de couche de protection, et une seconde couche de protection disposée sur la première couche de protection. La première couche de protection a une permittivité relative inférieure à celle de la seconde couche de protection. La seconde couche de protection a une résistance à l'humidité supérieure à celle de la première couche de protection.
(JA)
誘電体膜の絶縁破壊強度の低下(誘電体膜の耐電圧性の劣化)を抑制する半導体装置を提供する。半導体装置は、互いに対向する第1主面および第2主面を有する半導体基板と、第1主面の一部上に配置された誘電体膜と、誘電体膜の一部上に配置された第1電極層と、第1電極層の端部から誘電体膜の第1外周端にわたり連続的に被覆する保護層とを備える。誘電体膜は、第1電極層が配置されている電極層配置部と、保護層に被覆されている保護層被覆部とを有する。誘電体膜の保護層被覆部の第1外周端における厚みは、誘電体膜の電極層配置部の厚みに比べ小さい。保護層は、第1電極層の第2外周端と保護層被覆部の少なくとも一部とを連続的に被覆する第1保護層と、第1保護層上に配置された第2保護層とを有する。第1保護層は、第2保護層より低い比誘電率を有する。第2保護層は、第1保護層より高い耐湿性を有する。
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