処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2021054185 - 検査システム及び検査方法

公開番号 WO/2021/054185
公開日 25.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/033840
国際出願日 07.09.2020
IPC
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01R 31/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
H01L 21/67248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67248Temperature monitoring
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 小西 顕太朗 KONISHI, Kentaro
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2019-16972818.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) INSPECTION SYSTEM AND INSPECTION METHOD
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ D'INSPECTION
(JA) 検査システム及び検査方法
要約
(EN)
Provided is an inspection system that inspects a substrate placed on a mounting stand and that comprises: a first chiller unit that supplies a first heat medium controlled to a first temperature; a second chiller unit that supplies a second heat medium controlled to a second temperature lower than the first temperature; the mounting stand, which is provided with a flow channel in which is supplied a heat medium obtained by mixing, at a desired mixing ratio, the first heat medium and the second heat medium; and a control unit. The control unit controls a process for measuring the temperature of the heat medium at an inlet of the flow channel and the temperature of the heat medium at an outlet of the flow channel, and a process for correcting the mixing ratio between the first heat medium and the second heat medium on the basis of a difference in temperature of the heat medium between the inlet and the outlet, and the flow rate of the heat medium.
(FR)
L'invention concerne un système d'inspection qui inspecte un substrat placé sur un support de montage et qui comprend : une première unité de refroidisseur qui fournit un premier milieu thermique commandé à une première température ; une seconde unité de refroidisseur qui fournit un second milieu thermique régulé à une seconde température inférieure à la première température ; le support de montage, qui comporte un canal d'écoulement dans lequel est alimenté un milieu thermique obtenu par mélange, à un rapport de mélange souhaité, du premier milieu thermique et du second milieu thermique ; et une unité de commande. L'unité de commande commande un processus de mesure de la température du milieu thermique au niveau d'une entrée du canal d'écoulement et de la température du milieu thermique au niveau d'une sortie du canal d'écoulement, et un procédé de correction du rapport de mélange entre le premier milieu thermique et le second milieu thermique sur la base d'une différence de température du milieu thermique entre l'entrée et la sortie, et le débit du milieu thermique.
(JA)
第1温度に制御された第1熱媒体を供給する第1チラーユニットと、前記第1温度よりも低い第2温度に制御された第2熱媒体を供給する第2チラーユニットと、所望の混合比に前記第1熱媒体と前記第2熱媒体とを混合した熱媒体が供給される流路が設けられた載置台と、制御部とを有し、前記載置台に載置された基板に対して検査を行う検査システムであって、前記制御部は、前記流路の入口における前記熱媒体の温度と前記流路の出口における前記熱媒体の温度とを測定する工程と、前記入口及び出口における前記熱媒体の温度の差分と前記熱媒体の流量とに基づき、前記第1熱媒体と前記第2熱媒体との前記混合比を補正する工程と、を制御する、検査システムが提供される。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報