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1. WO2021054160 - 原子層堆積法のための薄膜形成原料及びそれを用いた亜鉛含有薄膜の製造方法

公開番号 WO/2021/054160
公開日 25.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/033719
国際出願日 07.09.2020
IPC
C23C 16/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
18金属有機質化合物からのもの
C23C 16/40 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40酸化物
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
CPC
C23C 16/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
06characterised by the deposition of metallic material
18from metallo-organic compounds
出願人
  • 株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 畑▲瀬▼ 雅子 HATASE, Masako
  • 遠津 正揮 ENZU, Masaki
  • 武田 圭介 TAKEDA, Keisuke
代理人
  • 曾我 道治 SOGA, Michiharu
  • 梶並 順 KAJINAMI, Jun
  • 大宅 一宏 OYA, Kazuhiro
優先権情報
2019-16795217.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING ZINC-CONTAINING THIN FILM USING SAME
(FR) MATIÈRE PREMIÈRE DE FORMATION DE FILM MINCE POUR DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE CONTENANT DU ZINC ET UTILISANT CETTE MATIÈRE PREMIÈRE
(JA) 原子層堆積法のための薄膜形成原料及びそれを用いた亜鉛含有薄膜の製造方法
要約
(EN)
The present invention provides: a raw material for forming a thin film for atomic layer deposition that contains a zinc compound represented by general formula (1) (in the formula, R1 and R2 each independently represent an alkyl group having 1-5 carbon atoms, a trimethylsilyl group, or a trifluoromethyl group, and R1 and R2 are different groups); and a method for producing a zinc-containing thin film by atomic layer deposition including a step in which a raw material gas obtained by vaporizing the raw material for forming a thin film is introduced into a processing atmosphere, the zinc compound within the raw material gas is deposited on the surface of a substrate, and a precursor layer is formed and a step in which a reactive gas is introduced into the processing atmosphere and the precursor layer and the reactive gas are made to react.
(FR)
La présente invention concerne : une matière première de formation de film mince pour dépôt de couches atomiques qui contient un composé de zinc représenté par la formule générale (1) (dans la formule, R1 et R2 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant 1 à 5 atomes de carbone, un groupe triméthylsilyle ou un groupe trifluorométhyle, et R1 et R2 sont des groupes différents) ; et un procédé de production d'un film mince contenant du zinc par dépôt de couches atomiques comprenant une étape dans laquelle un gaz de matière première obtenu par vaporisation de la matière première pour former un film mince est introduit dans une atmosphère de traitement, le composé de zinc à l'intérieur du gaz de matière première est déposé sur la surface d'un substrat, et une couche de précurseur est formée, ainsi qu'une étape dans laquelle un gaz réactif est introduit dans l'atmosphère de traitement et la couche de précurseur et le gaz réactif sont amenés à réagir.
(JA)
本発明は、下記一般式(1)で表される亜鉛化合物を含有する原子層堆積法のための薄膜形成原料(式中、R1及びR2は、各々独立に、炭素原子数1~5のアルキル基、トリメチルシリル基又はトリフルオロメチル基を表す。但し、R1とR2は異なる基である。)と、前記薄膜形成原料を気化させた原料ガスを処理雰囲気に導入し、基体の表面に該原料ガス中の亜鉛化合物を堆積させて前駆体層を形成する工程と、反応性ガスを処理雰囲気に導入し、前記前駆体層と前記反応性ガスを反応させる工程とを含む、原子層堆積法による亜鉛含有薄膜の製造方法である。
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