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1. WO2021054135 - 気化供給装置

公開番号 WO/2021/054135
公開日 25.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/033395
国際出願日 03.09.2020
IPC
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/448 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
448反応性ガス流を発生させるために用いる方法に特徴があるもの,例.先行する材料の蒸発または昇華によるもの
CPC
C23C 16/448
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
448characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 株式会社フジキン FUJIKIN INCORPORATED [JP]/[JP]
発明者
  • 中谷 貴紀 NAKATANI Takatoshi
  • 日高 敦志 HIDAKA Atsushi
  • 徳田 伊知郎 TOKUDA Ichiro
  • 中辻 景介 NAKATSUJI Keisuke
代理人
  • 谷田 龍一 TANIDA Ryuichi
  • 吉武 賢一 YOSHITAKE Kenichi
優先権情報
2019-17027119.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) VAPORIZED FEED DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ALIMENTATION VAPORISÉ
(JA) 気化供給装置
要約
(EN)
A vaporized feed device 1 is provided with: a pre-heating unit 2 for pre-heating a liquid raw material L; a vaporization unit 3 which is disposed over the pre-heating unit 2 to heat and vaporize the pre-heated liquid raw material L delivered from the pre-heating unit 2; a flow rate control device 4 which is disposed over the vaporization unit 3 to control the flow rate of a gas G delivered from the vaporization unit 3; and a heater 5 for heating the pre-heating unit 2, the vaporization unit 3, and the flow rate control device 4.
(FR)
Un dispositif d'alimentation vaporisé (1) comprend : une unité de préchauffage (2) pour préchauffer une matière première liquide L ; une unité de vaporisation (3) qui est disposée sur l'unité de préchauffage (2) pour chauffer et vaporiser la matière première liquide L préchauffée délivrée à partir de l'unité de préchauffage (2) ; un dispositif de régulation de débit (4) qui est disposé sur l'unité de vaporisation (3) pour réguler le débit d'un gaz G délivré par l'unité de vaporisation (3) ; et un dispositif de chauffage (5) pour chauffer l'unité de préchauffage (2), l'unité de vaporisation (3) et le dispositif de commande de débit (4).
(JA)
気化供給装置1は、液体原料Lを予加熱する予加熱部2と、前記予加熱部2の上部に配置され、前記予加熱部2から送出される予加熱された前記液体原料Lを加熱して気化させる気化部3と、前記気化部3の上部に配置され、前記気化部3から送出されたガスGの流量を制御する流量制御装置4と、前記予加熱部2、前記気化部3及び前記流量制御装置4を加熱するヒータ5とを備える。
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