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1. WO2021049557 - 精製シリコン微粒子の製造方法

公開番号 WO/2021/049557
公開日 18.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/034223
国際出願日 10.09.2020
IPC
C01B 33/02 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
02けい素
H01M 4/38 2006.01
H電気
01基本的電気素子
M化学的エネルギーを電気的エネルギーに直接変換するための方法または手段,例.電池
4電極
02活物質からなるまたは活物質を含有した電極
36活物質,固形活物質,流体活物質の材料の選択
38元素または合金
CPC
C01B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
H01M 4/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
4Electrodes
02Electrodes composed of or comprising active material
36Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
38of elements or alloys
出願人
  • 株式会社トクヤマ TOKUYAMA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 望月 直人 MOCHIZUKI Naoto
  • 石田 晴之 ISHIDA Haruyuki
  • 福原 浩二 FUKUHARA Koji
代理人
  • 特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM
優先権情報
2019-16704213.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING PURIFIED SILICON FINE PARTICLES
(FR) MÉTHODE DE PRODUCTION DE FINES PARTICULES DE SILICIUM PURIFIÉES
(JA) 精製シリコン微粒子の製造方法
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing a method for producing purified silicon fine particles which are hardly affected by a trace amount of water. In a method for producing purified silicon fine particles according to the present invention, silicon fine particles obtained by a vapor phase synthesis method are treated with hydrofluoric acid in the presence of an organic solvent having compatibility with water. The silicon fine particles include chlorine in a proportion of 0.1-10.0 mass% and oxygen in a proportion of 0.5-6.0 mass%. The obtained purified silicon fine particles have a specific surface area of at least 10 m2/g, an average crystallite diameter of less than 40 nm, a chlorine concentration of 1-10 mass% with respect to the weight of the fine particles, and a ratio (Co/S) of an oxygen concentration (Co: mass%) to a specific surface area (S: m2/g) of less than 0.025.
(FR)
La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une méthode de production de fines particules de silicium purifiées qui sont peu affectées par une quantité infime d'eau. Dans une méthode de production de fines particules de silicium purifiées selon la présente invention, de fines particules de silicium obtenues par une méthode de synthèse en phase vapeur sont traitées avec de l'acide fluorhydrique en présence d'un solvant organique ayant une compatibilité avec l'eau. Les fines particules de silicium comprennent du chlore dans une proportion de 0,1 à 10,0 % en masse et de l'oxygène dans une proportion de 0,5 à 6,0 % en masse. Les fines particules de silicium purifiées obtenues ont une surface spécifique d'au moins 10 m2/g, un diamètre de cristallite moyen inférieur à 40 nm, une concentration en chlore de 1 à 10 % en masse par rapport au poids des particules fines, et un rapport (Co/S) d'une concentration en oxygène (Co : % en masse) à une surface spécifique (S : m2/g) inférieur à 0,025.
(JA)
本発明は、微量な水分による影響がきわめて少ない精製シリコン微粒子の製造方法を提供することを課題とする。 本発明の精製シリコン微粒子の製造方法は、気相合成法で得られたシリコン微粒子を、水と相溶性を有する有機溶媒存在下に、フッ化水素酸で処理する。 前記シリコン微粒子が、塩素を0.1~10.0質量%、酸素を0.5~6.0質量%の割合で含む。得られた精製シリコン微粒子は、比表面積が、10m2/g以上であり、平均結晶子径が40nm未満であり、塩素濃度が、微粒子重量に対し、1~10質量%にあり、酸素濃度(Co:質量%)と比表面積(S:m2/g)との比(Co/S)が0.025未満である。
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