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1. WO2021044705 - 有機半導体デバイスのソース/ドレイン用電極、それを用いた有機半導体デバイス、及びそれらの製造方法

公開番号 WO/2021/044705
公開日 11.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/023900
国際出願日 18.06.2020
IPC
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 51/05 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H01L 51/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30材料の選択
CPC
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H01L 51/05
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
出願人
  • 国立大学法人東京大学 THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP]/[JP]
発明者
  • 竹谷 純一 TAKEYA, Junichi
  • 渡邉 峻一郎 WATANABE, Shunichiro
  • 牧田 龍幸 MAKITA, Tatsuyuki
代理人
  • 河野上 正晴 KONOUE, Masaharu
  • 塩川 和哉 SHIOKAWA, Kazuya
優先権情報
2019-16073203.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOURCE/DRAIN ELECTRODE FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME, AND PRODUCTION METHOD FOR SOURCE/DRAIN ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLECTRODE DE SOURCE/DRAIN POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE L'UTILISANT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR ÉLECTRODE DE SOURCE/DRAIN ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 有機半導体デバイスのソース/ドレイン用電極、それを用いた有機半導体デバイス、及びそれらの製造方法
要約
(EN)
The present invention provides a minute electrode that enables an organic semiconductor to be insusceptible to deterioration with age and that is applicable to production of a practical integrated circuit for an organic semiconductor device. The present invention pertains to a source/drain electrode that is for an organic semiconductor device, and that comprises 10 or more sets of electrodes, wherein the channel length between the electrodes of each of the sets is 200 μm or less, and each of the electrodes in the respective sets have a surface having a surface roughness Rq of 2 nm or less.
(FR)
La présente invention concerne une électrode minuscule qui permet à un semi-conducteur organique d'être insensible à la détérioration avec l'âge et qui est applicable à la production d'un circuit intégré pratique pour un dispositif à semi-conducteur organique. La présente invention concerne une électrode de source/drain qui est destinée à un dispositif à semi-conducteur organique, et qui comprend au moins 10 ensembles d'électrodes, la longueur de canal entre les électrodes de chacun des ensembles étant inférieure ou égale à 200 µm, et chacune des électrodes dans les ensembles respectifs a une surface ayant une rugosité de surface Rq inférieure ou égale à 2 nm.
(JA)
本開示は、有機半導体が経時変化しにくく、有機半導体デバイスの実用的な集積回路の製造に適用することが可能な微細な電極を提供する。本開示は、有機半導体デバイスのソース/ドレイン用電極であって、10組以上の電極を含み、前記各組における電極間のチャネル長が200μm以下であり、前記各組における電極が、表面粗さRqが2nm以下の面を有するソース/ドレイン用電極に関する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報