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1. WO2021039802 - 半導体素子、および半導体素子の製造方法

公開番号 WO/2021/039802
公開日 04.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/032062
国際出願日 25.08.2020
IPC
B23K 26/364 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
362レーザーエッチング
364溝の形成のためのもの,例.破断の起点となる溝を刻むためのもの
B23K 26/38 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
38穴あけまたは切断
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
CPC
B23K 26/364
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
362Laser etching
364for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
B23K 26/38
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
38by boring or cutting
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山路 英明 YAMAJI Hideaki
代理人
  • 臼井 尚 USUI Takashi
  • 鈴木 泰光 SUZUKI Yasumitsu
  • 小淵 景太 KOBUCHI Keita
優先権情報
2019-15459227.08.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子、および半導体素子の製造方法
要約
(EN)
This semiconductor element is provided with a main portion and a rear surface electrode layer. The main portion at least partially comprises a semiconductor, and includes: a main surface and a rear surface which face toward mutually opposite sides in the thickness direction; a main-surface-side first side surface which is orthogonal to a first direction that is orthogonal to the thickness direction, and which is joined to the main surface; and a rear-surface-side first side surface which faces toward the same side as the main-surface-side first side surface, and which is joined to the rear surface. The rear surface electrode layer covers at least a portion of the rear surface of the main portion. The rear-surface-side first side surface is positioned to the outside of the main-surface-side first side surface in the first direction. The rear surface electrode layer is provided with a first elongated portion which covers at least a portion of the rear-surface-side first side surface.
(FR)
L'invention concerne un élément semi-conducteur qui est pourvu d'une portion principale et d'une couche d'électrode de surface arrière. La portion principale comprend au moins partiellement un semi-conducteur, et comprend : une surface principale et une surface arrière qui font face à des côtés mutuellement opposés dans le sens de l'épaisseur ; une première surface latérale côté surface principale qui est orthogonale à une première direction qui est orthogonale au sens de l'épaisseur, et qui est jointe à la surface principale ; et une première surface latérale côté surface arrière qui fait face au même côté que la première surface latérale côté surface principale, et qui est jointe à la surface arrière. La couche d'électrode de surface arrière recouvre au moins une portion de la surface arrière de la portion principale. La première surface latérale côté surface arrière est positionnée à l'extérieur de la première surface latérale côté surface principale dans la première direction. La couche d'électrode de surface arrière est pourvue d'une première portion allongée qui recouvre au moins une portion de la première surface latérale côté surface arrière.
(JA)
半導体素子は、主部および裏面電極層を備える。前記主部は、少なくとも一部が半導体からなり、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記厚さ方向に直交する第一方向に直交し、かつ、前記主面に繋がる主面側第一側面と、前記主面側第一側面と同じ側を向き、かつ、前記裏面に繋がる裏面側第一側面と、を有する。前記裏面電極層は、前記主部の前記裏面の少なくとも一部を覆う。前記裏面側第一側面は、前記第一方向において、前記主面側第一側面より外側に位置する。前記裏面電極層は、前記裏面側第一側面の少なくとも一部を覆う第一延伸部を備えている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報