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1. WO2021039357 - 基板処理方法

公開番号 WO/2021/039357
公開日 04.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/030298
国際出願日 07.08.2020
IPC
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山口 貴大 YAMAGUCHI Takahiro
  • 鰍場 真樹 INABA Masaki
  • 岩▲崎▼ 晃久 IWASAKI Akihisa
  • 遠藤 亨 ENDO Toru
  • 植村 知浩 UEMURA Tomohiro
  • 清原 公平 KIYOHARA Kohei
  • 宗徳 皓太 SOTOKU Kota
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2019-15636129.08.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法
要約
(EN)
A substrate processing method comprising: a step in which a substrate (WF) having a first surface (S1) and a second surface (S2) opposite from the first surface (S1) is retained; a step in which a processing liquid into which ozone gas-including gas bubbles with diameters of 50nm or less have been mixed is supplied to the second surface (S2) of the wafer (WF); and a step in which the processing liquid is heated at a point of use for processing the substrate (WF).
(FR)
Procédé de traitement de substrat comprenant : une étape dans laquelle un substrat (WF) comportant une première surface (S1) et une seconde surface (S2) opposée à la première surface (S1) est retenu ; une étape dans laquelle un liquide de traitement dans lequel ont été mélangées des bulles de gaz comprenant des gaz d'ozone ayant des diamètres de 50 nm ou moins est apporté à la seconde surface (S2) de la plaquette (WF) ; et une étape dans laquelle le liquide de traitement est chauffé à un point d'utilisation pour traiter le substrat (WF).
(JA)
基板処理方法は、第1の面(S1)と、第1の面(S1)と反対の第2の面(S2)とを有する基板(WF)を保持する工程と、ウエハ(WF)の第2の面(S2)へ、オゾンガスを含有する粒径50nm以下の気泡が混入された処理液を供給する工程と、基板(WF)の処理のためのユースポイントで処理液を加熱する工程と、を備える。
他の公開
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