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1. WO2021039271 - 半導体装置の製造方法および製造装置

公開番号 WO/2021/039271
公開日 04.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/029325
国際出願日 30.07.2020
IPC
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/46 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
46基板を加熱するのに使われる方法に特徴があるもの
CPC
C23C 16/46
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
46characterised by the method used for heating the substrate
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
  • 大阪瓦斯株式会社 OSAKA GAS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 村田 等 MURATA Hitoshi
  • 国井 泰夫 KUNII Yasuo
  • 上野 正昭 UENO Masaaki
  • 末光 真大 SUEMITSU Masahiro
代理人
  • 福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro
  • 阿仁屋 節雄 ANIYA Setuo
優先権情報
2019-15846730.08.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND FABRICATION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE FABRICATION
(JA) 半導体装置の製造方法および製造装置
要約
(EN)
The present invention includes: a quartz vessel inside which a body to be processed, containing a semiconductor, is to be disposed; a heating part that generates heat; and a radiation control body disposed between the quartz vessel and the heating part, wherein the radiation control body is configured to radiate, when heated by the heating part, a radiation wave having a wavelength that passes through the quartz vessel to allow the radiation wave to reach the body to be processed, containing the semiconductor, in the quartz vessel.
(FR)
La présente invention comprend : un récipient en quartz à l'intérieur duquel un corps à traiter, contenant un semi-conducteur, doit être disposé ; une partie de chauffage qui génère de la chaleur ; et un corps de commande de rayonnement disposé entre le récipient en quartz et la partie de chauffage, le corps de commande de rayonnement étant conçu pour rayonner, lorsqu'il est chauffé par la partie de chauffage, une onde de rayonnement ayant une longueur d'onde qui passe à travers le récipient en quartz pour permettre à l'onde de rayonnement d'atteindre le corps à traiter, contenant le semi-conducteur, dans le récipient en quartz.
(JA)
内部に半導体を含む被処理体が配置される石英容器と、熱を発する加熱部と、石英容器と加熱部との間に配置される輻射制御体と、を備え、輻射制御体は、加熱部からの加熱により石英容器を透過する波長の輻射波を放射して石英容器内の半導体を含む被処理体に到達させるように構成されている。
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