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1. WO2021038688 - 電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方法および電力変換装置

公開番号 WO/2021/038688
公開日 04.03.2021
国際出願番号 PCT/JP2019/033313
国際出願日 26.08.2019
IPC
H01L 23/36 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 小林 浩 KOBAYASHI, Hiroshi
  • 山根 朋久 YAMANE, Tomohisa
  • 曽田 真之介 SODA, Shinnosuke
代理人
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, PRODUCTION METHOD FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方法および電力変換装置
要約
(EN)
A semiconductor device that suppresses resin leakage from a resin insulating member at an outer peripheral part of the resin insulating member and thereby achieves improved reliability. A semiconductor device that comprises a module unit (2), a resin insulating member (12) that is adhered to the module unit (2), a cooling unit (13) that is connected to the module unit (2) via the resin insulating member (12), and a flow prevention member (11) that is sandwiched between the module unit (2) and the cooling unit (13) so as to surround the resin insulating member (12) and is more easily compressed than the resin insulating member (12).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui permet de supprimer la fuite de résine d'un élément isolant en résine au niveau d'une partie périphérique externe de l'élément isolant en résine et permet ainsi d'obtenir une fiabilité améliorée. L'invention concerne également un dispositif à semi-conducteur qui comprend une unité modulaire (2), un élément isolant en résine (12) qui est collé à l'unité modulaire (2), une unité de refroidissement (13) qui est reliée à l'unité modulaire (2) par l'intermédiaire de l'élément isolant en résine (12), et un élément de prévention d'écoulement (11) qui est pris en sandwich entre l'unité modulaire (2) et l'unité de refroidissement (13) de façon à entourer l'élément isolant en résine (12) et est plus facilement comprimé que l'élément isolant en résine (12).
(JA)
樹脂絶縁部材の外周部における樹脂絶縁部材からの樹脂漏れを抑制して、信頼性を向上させた半導体装置を得る。モジュール部(2)と、モジュール部(2)と接着された樹脂絶縁部材(12)と、樹脂絶縁部材(12)を介してモジュール部(2)と接続された冷却部(13)と、モジュール部(2)と冷却部(13)とに挟まれ、樹脂絶縁部材(12)の周囲に配置され、樹脂絶縁部材(12)よりも圧縮変形し易い流れ防止部材(11)と、を備えた半導体装置である。
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