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1. WO2020262629 - 撮像装置

公開番号 WO/2020/262629
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/025285
国際出願日 26.06.2020
IPC
H01L 21/3205 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H01L 27/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
H01L 21/822 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
CPC
H01L 21/3205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 21/8234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
H01L 23/522
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
H01L 27/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 河本 健芳 KOMOTO, Takeyoshi
  • 中溝 正彦 NAKAMIZO, Masahiko
  • 小野 俊明 ONO, Toshiaki
  • 山下 知憲 YAMASHITA Tomonori
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2019-11909926.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
要約
(EN) The imaging device according to an embodiment has a first substrate, a second substrate, wiring, and a trench. The first substrate has pixels each having a photodiode and a floating diffusion for holding a charge converted by the photodiode. The second substrate has a pixel circuit for reading a pixel signal based on the charges held by the floating diffusions in the pixels, the second substrate being stacked on the first substrate. The wiring penetrates through the first substrate and the second substrate in the stacking direction, and establishes an electrical connection between the floating diffusions in the first substrate and an amplifying transistor in the pixel circuit of the second substrate. The trench is formed at least in the second substrate so as to extend parallel to the wiring, the trench having a depth equal to or greater than the thickness of a semiconductor layer in the second substrate.
(FR) La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif d'imagerie qui comprend un premier substrat, un deuxième substrat, un câblage et une tranchée. Le premier substrat comporte des pixels ayant chacun une photodiode et une diffusion flottante pour maintenir une charge convertie par la photodiode. Le deuxième substrat a un circuit de pixels pour lire un signal de pixel sur la base des charges conservées par les diffusions flottantes dans les pixels, le deuxième substrat étant empilé sur le premier substrat. Le câblage pénètre à travers le premier substrat et le deuxième substrat dans la direction d'empilement et établit une connexion électrique entre les diffusions flottantes dans le premier substrat et un transistor amplificateur dans le circuit de pixels du deuxième substrat. La tranchée est formée au moins dans le deuxième substrat de manière à s'étendre parallèlement au câblage, la tranchée ayant une profondeur égale ou supérieure à l'épaisseur d'une couche semi-conductrice dans le deuxième substrat.
(JA) 実施形態の撮像装置は、第1基板と、第2基板と、配線と、トレンチとを有する。第1基板は、フォトダイオードと、フォトダイオードにて変換された電荷を保持するフローティングディフュージョンとを有する画素を有する。第2基板は、画素内のフローティングディフュージョンに保持された電荷に基づく画素信号を読み出す画素回路を有し、第1基板に積層されている。配線は、第1基板と第2基板とを積層方向に貫通して、第1基板内のフローティングディフュージョンと第2基板の画素回路内の増幅トランジスタとの間を電気的に接続する。トレンチは、少なくとも第2基板に形成されて、配線と並走し、第2基板内の半導体層の厚さ以上の深さである。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報