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1. WO2020262628 - 塩基性物質を含有する水親和性の高い研磨粒子を用いた研磨用組成物

公開番号 WO/2020/262628
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/025284
国際出願日 26.06.2020
IPC
C09K 3/14 2006.1
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
B24B 37/00 2012.1
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B24B 37/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 三井滋 MITSUI, Shigeru
  • 石水英一郎 ISHIMIZU, Eiichiro
  • 西村透 NISHIMURA, Tohru
  • 大森恒 OMORI, Wataru
代理人
  • 特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE
優先権情報
2019-11936227.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING COMPOSITION USING POLISHING PARTICLES CONTAINING BASIC SUBSTANCE AND HAVING HIGH WATER AFFINITY
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE UTILISANT DES PARTICULES DE POLISSAGE CONTENANT UNE SUBSTANCE BASIQUE ET AYANT UNE AFFINITÉ ÉLEVÉE POUR L'EAU
(JA) 塩基性物質を含有する水親和性の高い研磨粒子を用いた研磨用組成物
要約
(EN) [Problem] To provide a polishing composition that is for use in CMP polishing and that makes it possible to minimize the occurrence of defects. [Solution] A polishing composition containing silica particles, a nitrogen-containing organic compound that is basic, and water as a solvent, in which the Rsp value represented by formula (1) as calculated from a pulse NMR measurement value is greater than 0.7 and equal to or less than 6. Formula (1): Rsp = (Rav - Rb)/(Rb) (in formula (1), Rsp is an index indicating water affinity, Rav is the reciprocal of the relaxation time of the polishing composition, and Rb is the reciprocal of the relaxation time of the water serving as a solvent in the polishing composition).
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de polissage qui est destinée à être utilisée dans le polissage CMP et qui permet de minimiser l'apparition de défauts. La solution selon l'invention porte sur une composition de polissage contenant des particules de silice, un composé organique contenant de l'azote qui est basique, et de l'eau en tant que solvant, la valeur Rsp représentée par la formule (1) telle que calculée à partir d'une valeur de mesure de RMN d'impulsion est supérieure à 0,7 et inférieure ou égale à 6. Formule (1) : Rsp = (Rav - Rb)/(Rb) (dans la formule (1), Rsp est un indice indiquant l'affinité de l'eau, Rav est la réciproque du temps de relaxation de la composition de polissage, et Rb est la réciproque du temps de relaxation de l'eau servant de solvant dans la composition de polissage.)
(JA) 【課題】 CMP研磨に用いてデフェクトの発生を抑制できる研磨用組成物を提供する。 【解決手段】 シリカ粒子、塩基性の窒素含有有機化合物及び溶媒として水を含み、且つパルスNMRの測定値から算出される下記式(1)で表されるRsp値が0.7を超え、6以下である研磨用組成物。 Rsp=(Rav-Rb)/(Rb)・・・(1) (式(1)中、Rspは水親和性を示す指標であり、Ravは当該研磨用組成物の緩和時間逆数であり、Rbは当該研磨用組成物の溶媒である水の緩和時間逆数である。)
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