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1. WO2020262584 - 半導体装置及びその製造方法

公開番号 WO/2020/262584
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/025147
国際出願日 26.06.2020
IPC
H01L 21/762 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
76構成部品間の分離領域の形成
762誘電体領域
H01L 21/76 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
76構成部品間の分離領域の形成
H01L 21/3205 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H01L 27/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
CPC
H01L 21/3205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
H01L 21/76
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
H01L 21/762
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 23/522
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
H01L 27/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 藤井 宣年 FUJII Nobutoshi
  • 瀬島 幸一 SEJIMA Koichi
  • 嵯峨 幸一郎 SAGA Koichiro
  • 三宅 慎一 MIYAKE Shinichi
代理人
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 小林 龍 KOBAYASHI Toru
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
優先権情報
2019-11916926.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約
(EN) Provided are: a semiconductor device that is capable of reducing resistance values in a conductor path electrically connecting upper and lower substrates; and a manufacturing method for same. The semiconductor device comprises: a first semiconductor layer having a plurality of element-forming areas arranged adjacent to each other with an element-separating area therebetween, each having a first active element provided therein; a contact area provided on the element-separating area-side of the surface of each of the plurality of element-forming areas; a conductive pad connected to each of the plurality of element-forming areas, across the element-separating areas; a first insulating layer covering the first semiconductor layer and the conductive pad; a second conductive layer arranged upon the first insulating layer and having a second active element provided therein; a second insulating layer covering the second conductive layer; and a conductive plug that is embedded in a connection hole reaching from the second insulating layer to the conductive pad and is formed integrally with the conductive pad, using the same material.
(FR) L'invention concerne : un dispositif à semi-conducteur qui est capable de réduire des valeurs de résistance dans un trajet conducteur connectant électriquement des substrats supérieur et inférieur ; et un procédé de fabrication de celui-ci. Le dispositif à semi-conducteur comprend : une première couche semi-conductrice ayant une pluralité de zones de formation d'élément disposées adjacentes l'une à l'autre avec une zone de séparation d'élément entre elles, chacune ayant un premier élément actif disposé à l'intérieur de celle-ci ; une zone de contact disposée sur le côté zone de séparation d'élément de la surface de chacune de la pluralité de zones de formation d'élément ; un plot conducteur relié à chacune de la pluralité de zones de formation d'élément, à travers les zones de séparation d'élément ; une première couche isolante recouvrant la première couche semi-conductrice et le plot conducteur ; une seconde couche conductrice disposée sur la première couche isolante et ayant un second élément actif disposé à l'intérieur de celle-ci ; une seconde couche isolante recouvrant la seconde couche conductrice ; et une fiche conductrice qui est incorporée dans un trou de connexion allant de la seconde couche isolante au plot conducteur et est formée d'un seul tenant avec le plot conducteur, à l'aide du même matériau.
(JA) 上下の基板間を電気的に接続する導電経路の抵抗値を低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。素子分離領域を介して互いに隣り合って配置され、かつ各々に第1能動素子が設けられた複数の素子形成領域を有する第1半導体層と、複数の素子形成領域の各々の表層部の素子分離領域側に設けられたコンタクト領域と、素子分離領域を跨いで複数の素子形成領域の各々のコンタクト領域に接続された導電パッドと、第1半導体層及び導電パッドを覆う第1絶縁層と、第1絶縁層上に配置され、かつ第2能動素子が設けられた第2半導体層と、第2半導体層を覆う第2絶縁層と、第2絶縁層から導電パッドに到達する接続孔に埋め込まれ、かつ導電パッドと同一材料で一体に形成された導電プラグと、を備えている。
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