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1. WO2020262583 - 半導体装置及びその製造方法

公開番号 WO/2020/262583
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/025146
国際出願日 26.06.2020
IPC
H01L 27/146 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 宮崎 俊彦 MIYAZAKI Toshihiko
  • 川原 雄基 KAWAHARA Yuki
  • 鈴木 毅 SUZUKI Tsuyoshi
  • 飯島 匡 IIJIMA Tadashi
代理人
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 小林 龍 KOBAYASHI Toru
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
優先権情報
2019-11916726.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約
(EN) The present invention provides a semiconductor device having a multilayer structure composed of a plurality of substrates, wherein: propagation of noise or heat between elements that are formed on upper and lower substrates is able to be suppressed; and deterioration of the characteristics of the elements is also able to be suppressed. This semiconductor device is provided with: a first substrate which comprises a first element layer that contains a first active element, a first wiring layer that is arranged on the first element layer, and a shield layer that is arranged on the first wiring layer and contains a conductive material; and a second substrate which comprises a second element layer that is arranged on the shield layer and contains a second active element, and a second wiring layer that is arranged on the second element layer. The first substrate and the second substrate are stacked upon each other.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant une structure multicouche composée d'une pluralité de substrats, dans lequel : la propagation du bruit ou de la chaleur entre des éléments qui sont formés sur des substrats supérieur et inférieur peut être supprimée ; et la détérioration des caractéristiques des éléments peut également être supprimée. Ce dispositif à semi-conducteur comporte : un premier substrat qui comprend une première couche d'élément qui contient un premier élément actif, une première couche de câblage qui est disposée sur la première couche d'élément, et une couche de blindage qui est disposée sur la première couche de câblage et contient un matériau conducteur ; et un second substrat qui comprend une seconde couche d'élément qui est disposée sur la couche de blindage et contient un second élément actif, et une seconde couche de câblage qui est disposée sur la seconde couche d'élément. Le premier substrat et le second substrat sont empilés l'un sur l'autre.
(JA) 複数の基板の積層構造において、上下の基板に形成された素子間のノイズや熱の伝播を抑制することができ、素子の特性の劣化を抑制することができる半導体装置を提供する。半導体装置は、第1能動素子を含む第1素子層と、第1素子層上に配置された第1配線層と、第1配線層上に配置された導電性材料を含むシールド層とを含む第1基板と、シールド層上に配置された第2能動素子を含む第2素子層と、第2素子層上に配置された第2配線層とを含む第2基板とを備え、第1基板と第2基板とが積層されて構成されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報