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1. WO2020262582 - 半導体装置及びその製造方法

公開番号 WO/2020/262582
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/025145
国際出願日 26.06.2020
IPC
H01L 21/768 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 27/146 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
CPC
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 飯島 匡 IIJIMA Tadashi
  • 宮波 勇樹 MIYANAMI Yuki
代理人
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 小林 龍 KOBAYASHI Toru
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
優先権情報
2019-11916626.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約
(EN) Provided is a semiconductor apparatus capable of achieving further improvement in performance in a structure in which a plurality of substrates are layered. This semiconductor apparatus is provided with: a first substrate including a first element layer that includes a first active element, and a first wiring layer that is disposed on the first element layer; and a second substrate including a second element layer that is disposed on the first wiring layer and that includes a second active element, and a second wiring layer that is disposed on the second element layer, wherein the first substrate and the second substrate are configured as being layered, and the second active element is provided on a compound semiconductor substrate.
(FR) L'invention concerne un appareil à semi-conducteur capable d'obtenir une amélioration supplémentaire de la performance dans une structure dans laquelle une pluralité de substrats sont stratifiés. Cet appareil à semi-conducteur comporte : un premier substrat comprenant une première couche d'élément qui comprend un premier élément actif, et une première couche de câblage qui est disposée sur la première couche d'élément ; et un second substrat comprenant une seconde couche d'élément qui est disposée sur la première couche de câblage et qui comprend un second élément actif, et une seconde couche de câblage qui est disposée sur la seconde couche d'élément, le premier substrat et le second substrat étant configurés comme étant stratifiés, et le second élément actif étant disposé sur un substrat semi-conducteur composé.
(JA) 複数の基板の積層構造において、更なる性能の向上を実現可能な半導体装置を提供する。半導体装置が、第1能動素子を含む第1素子層と、第1素子層上に配置された第1配線層とを含む第1基板と、第1配線層上に配置された第2能動素子を含む第2素子層と、第2素子層上に配置された第2配線層とを含む第2基板とを備え、第1基板と第2基板とが積層されて構成され、第2の能動素子が、化合物半導体基板に設けられる。
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