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1. WO2020262320 - 撮像装置

公開番号 WO/2020/262320
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/024448
国際出願日 22.06.2020
IPC
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/532 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
532材料に特徴のあるもの
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H04N 5/374 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 伊藤 大介 ITO, Daisuke
  • 富田 一行 TOMIDA, Kazuyuki
  • 羽根田 雅希 HANEDA, Masaki
  • 鈴木 毅 SUZUKI, Tsuyoshi
  • 南 孝明 MINAMI, Takaaki
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2019-11864726.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
要約
(EN)
An imaging device according to one embodiment of the present disclosure is provided with: a first substrate that has a sensor pixel for performing photoelectric conversion; a second substrate that has a pixel circuit for outputting a pixel signal on the basis of electric charge outputted from the sensor pixel; and a third substrate that has a processing circuit for performing signal processing on the pixel signal. The first substrate, the second substrate, and the third substrate are layered in this order. A low dielectric constant region is provided in at least one of regions in the periphery of the circuit in which the electric charge is read from the sensor pixel and the pixel signal is outputted.
(FR)
Un dispositif d'imagerie selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un premier substrat qui comporte un pixel de capteur pour effectuer une conversion photoélectrique; un deuxième substrat qui comporte un circuit de pixel pour délivrer en sortie un signal de pixel sur la base d'une charge électrique délivrée par le pixel de capteur; et un troisième substrat qui comporte un circuit de traitement pour effectuer un traitement sur le signal de pixel. Le premier substrat, le deuxième substrat et le troisième substrat sont stratifiés dans cet ordre. Une région à faible constante diélectrique se situe dans au moins l'une des régions dans la périphérie du circuit dans lequel la charge électrique est relevée dans le pixel de capteur et d'où le signal de pixel est délivré.
(JA)
本開示の一実施形態に係る撮像装置は、光電変換を行うセンサ画素を有する第1基板と、前記センサ画素から出力された電荷に基づいて画素信号を出力する画素回路を有する第2基板と、前記画素信号を信号処理する処理回路を有する第3基板とを備え、前記第1基板、前記第2基板、及び前記第3基板は、この順に積層され、前記センサ画素から電荷を読み出し、前記画素信号を出力するまでの回路の周囲の少なくともいずれかの領域には、低誘電率領域が設けられる。
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