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1. WO2020261979 - 感光性樹脂組成物、パターンを有する樹脂膜およびその製造方法、ならびに半導体回路基板

公開番号 WO/2020/261979
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/022677
国際出願日 09.06.2020
IPC
C08K 5/13 2006.1
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
5有機配合成分の使用
04酸素含有化合物
13フェノール類;フェノラート類
C08K 5/42 2006.1
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
5有機配合成分の使用
36いおう,セレンまたはテルル含有化合物
41いおう―酸素結合を有する化合物
42スルホン酸;その誘導体
C08L 101/02 2006.1
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L高分子化合物の組成物
101不特定の高分子化合物の組成物
02特定の基の存在に特徴のあるもの
G03F 7/004 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/038 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
038不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G03F 7/20 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
C08K 5/13
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
5Use of organic ingredients
04Oxygen-containing compounds
13Phenols; Phenolates
C08K 5/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
5Use of organic ingredients
36Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
41Compounds containing sulfur bound to oxygen
42Sulfonic acids; Derivatives thereof
C08L 101/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
101Compositions of unspecified macromolecular compounds
02characterised by the presence of specified groups ; , e.g. terminal or pendant functional groups
G03F 7/004
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
G03F 7/038
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 榊原 宏和 SAKAKIBARA Hirokazu
  • 根本 哲也 NEMOTO Tetsuya
代理人
  • 特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM
優先権情報
2019-11733925.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PATTERNED RESIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT BOARD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, FILM DE RÉSINE À MOTIFS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET CARTE DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 感光性樹脂組成物、パターンを有する樹脂膜およびその製造方法、ならびに半導体回路基板
要約
(EN) Provided is a photosensitive resin composition that is capable of forming an insulating film in which the occurrence of ion migration is suppressed. A photosensitive resin composition according to the present invention contains: (A) a resin comprising a phenolic hydroxyl group; (B) a cross-linking agent; and (C1) a specific photocation generator, the proportion of the photocation generator (C1) in the solid content of the photosensitive resin composition being 0.01 to 0.9% by mass.
(FR) L'invention concerne une composition de résine photosensible qui est capable de former un film isolant dans lequel l'apparition d'une migration d'ions est supprimée. Une composition de résine photosensible selon la présente invention contient : (A) une résine comprenant un groupe hydroxyle phénolique ; (B) un agent de réticulation ; et (C1) un générateur de photocation spécifique, la proportion du générateur de photocation (C1) dans le contenu solide de la composition de résine photosensible étant de 0,01 à 0,9 % en masse.
(JA) イオンマイグレーションの発生を抑制した絶縁膜の形成が可能な感光性樹脂組成物を提供する。 フェノール性水酸基を有する樹脂(A)、架橋剤(B)、および特定の光カチオン発生剤(C1)を含有する感光性樹脂組成物であり、前記感光性樹脂組成物の固形分中に含まれる前記光カチオン発生剤(C1)の含有割合が、0.01~0.9質量%である、感光性樹脂組成物。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報