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1. WO2020261938 - 光電変換素子、撮像素子、光センサ、光電変換素子用材料

公開番号 WO/2020/261938
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/022336
国際出願日 05.06.2020
IPC
H01L 51/42 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 27/30 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
CPC
H01L 27/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
30with components specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; with components specially adapted for either the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
H01L 51/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
Y02E 10/549
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
549Organic PV cells
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 吉岡 知昭 YOSHIOKA Tomoaki
  • 岩▲崎▼ 孝一 IWASAKI Koichi
代理人
  • 伊東 秀明 ITOH Hideaki
  • 三橋 史生 MITSUHASHI Fumio
優先権情報
2019-11975927.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, IMAGING ELEMENT, OPTICAL SENSOR, AND MATERIAL FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE, CAPTEUR OPTIQUE ET MATÉRIAU POUR ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子、撮像素子、光センサ、光電変換素子用材料
要約
(EN) The present invention provides a photoelectric conversion element that, when a photoelectric conversion film in the photoelectric conversion element is manufactured by vapor deposition, shows stable performance even if the compositional ratio of the photoelectric conversion film has varied. Further provided are an imaging element, an optical sensor, and a material for a photoelectric conversion element. This photoelectric conversion element includes a conductive film (11), a photoelectric conversion film (12), and a transparent conductive film (15) arranged in that order, wherein the photoelectric conversion film contains a compound represented by formula (1) and an n-type semiconductor material.
(FR) La présente invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui, lorsqu'un film de conversion photoélectrique dans l'élément de conversion photoélectrique est fabriqué par dépôt en phase vapeur, présente des performances stables même si le rapport de composition du film de conversion photoélectrique a varié. L'invention concerne également un élément d'imagerie, un capteur optique, et un matériau pour un élément de conversion photoélectrique. L'élément de conversion photoélectrique comporte un film conducteur (11), un film de conversion photoélectrique (12) et un film conducteur transparent (15) dans cet ordre, le film de conversion photoélectrique contenant un composé représenté par la formule (1) et un matériau semi-conducteur de type n.
(JA) 本発明は、光電変換素子における光電変換膜を蒸着製造した際に、光電変換膜の組成比が変動した場合でも安定した性能を示す光電変換素子を提供する。また、撮像素子、光センサ、及び、光電変換素子用材料を提供する。本発明の光電変換素子は、導電性膜(11)、光電変換膜(12)、及び、透明導電性膜(15)をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、式(1)で表される化合物、及び、n型半導体材料を含む。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報