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1. WO2020261868 - 基板処理装置および基板処理方法

公開番号 WO/2020/261868
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/021121
国際出願日 28.05.2020
IPC
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/306 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 中井 仁司 NAKAI, Hitoshi
代理人
  • 特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS
優先権情報
2019-12213428.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約
(EN) In the present invention, an inner peripheral end 74a of a first guard tip part 86 faces a peripheral end surface Wc of a substrate W with a first annular gap C1 interposed therebetween in the horizontal direction. In addition, an inner peripheral end 75a of a second guard tip part 88 faces an outer peripheral end 28c of a disk part 28 with a second annular gap C2 interposed therebetween in the horizontal direction. A shield member 6 faces the substrate W while a substrate-facing surface 26a and a surface Wa of the substrate W has a predetermined gap WU therebetween. The sum (L1+L2) of the length L1 of the first annular gap C1 and the length L2 of the second annular gap C2 is no less than a flow passage width WF in an exhaust path EP, and is no greater than the gap WU between the substrate-facing surface 26a and the surface Wa of the substrate W (WF≤(L1+L2)≤WU).
(FR) La présente invention concerne une extrémité périphérique interne (74a) d'une première partie de pointe de protection (86) qui fait face à une surface d'extrémité périphérique (Wc) d'un substrat (W) avec un premier espace annulaire (C1) interposé entre celles-ci dans la direction horizontale. De plus, une extrémité périphérique interne (75a) d'une seconde partie de pointe de protection (88) fait face à une extrémité périphérique externe (28c) d'une partie de disque (28) avec un second espace annulaire (C2) interposé entre celles-ci dans la direction horizontale. Un élément de protection (6) fait face au substrat (W) tandis qu'une surface tournée vers le substrat (26a) et une surface (Wa) du substrat (W) comportent un espace prédéterminé (WU) entre celles-ci. La somme (L1 + L2) de la longueur (L1) du premier espace annulaire (C1) et de la longueur (L2) du second espace annulaire (C2) est supérieure ou égale à une largeur de passage d'écoulement (WF) d'un trajet d'échappement (EP), et est inférieure ou égale à l'espace (WU) entre la surface tournée vers le substrat (26a) et la surface (Wa) du substrat (W), selon l'expression (WF ≤ (L1 + L2) ≤ WU).
(JA) 基板Wの周端面Wcに、第1のガード先端部86の内周端74aが水平方向に第1の環状隙間C1を隔てて対向する。また、円板部28の外周端28cに、第2のガード先端部88の内周端75aが水平方向に第2の環状隙間C2を隔てて対向する。基板対向面26aと基板Wの表面Waとが、所定の間隔WUを保ちながら、遮断部材6が基板Wに対向する。第1の環状隙間C1の距離L1と、第2の環状隙間C2の距離L2と、の合計(L1+L2)は、排気経路EPにおける流路幅WF以上であり、基板対向面26aと基板Wの表面Waとの間隔WU以下である(WF≦(L1+L2)≦WU))。
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国際事務局に記録されている最新の書誌情報