処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020261859 - 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの厚み測定システム

公開番号 WO/2020/261859
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/021008
国際出願日 27.05.2020
IPC
G01B 11/06 2006.1
G物理学
01測定;試験
B長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
11光学的手段の使用によって特徴づけられた測定装置
02長さ,幅または厚み測定用
06厚み測定用
H01L 21/66 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01B 11/06
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
02for measuring length, width or thickness
06for measuring thickness ; ; e.g. of sheet material
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 宮崎 裕司 MIYAZAKI Yuji
  • 木原 誉之 KIHARA Takayuki
  • 高梨 啓一 TAKANASHI Keiichi
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
優先権情報
2019-11869226.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MEASURING THICKNESS OF SEMICONDUCTOR WAFER, AND SYSTEM FOR MEASURING THICKNESS OF SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE D'ÉPAISSEUR DE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR, ET SYSTÈME DE MESURE D'ÉPAISSEUR DE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの厚み測定システム
要約
(EN) Provided is a method for measuring the thickness of a semiconductor wafer, the method making it possible to suppress variations in measured values of thickness originating from variations in the in-plane temperature when the thickness of a semiconductor wafer is measured in a short period of time using a spectral interference scheme at a plurality of points in a plane. In the present disclosure, when the thickness of a semiconductor wafer is measured using a spectral interference scheme at a plurality of points in a plane, information pertaining to the effect of the temperature of a semiconductor wafer on the refractive index of the semiconductor wafer is derived in advance, the temperature of the semiconductor wafer at a plurality of measurement positions is measured, and the value of the refractive index of the semiconductor wafer used in calculating a thickness measurement value at the measurement positions is determined on the basis of the information and the measured temperature of the semiconductor wafer.
(FR) Procédé de mesure de l'épaisseur d'une plaquette de semi-conducteur, le procédé permettant de supprimer les variations de valeurs d'épaisseur mesurées provenant de variations de la température dans le plan lorsque l'épaisseur d'une plaquette de semi-conducteur est mesurée en une courte période de temps à l'aide d'un schéma d'interférence spectrale au niveau d'une pluralité de points dans un plan. Selon la présente invention, lorsque l'épaisseur d'une plaquette de semi-conducteur est mesurée à l'aide d'un schéma d'interférence spectrale au niveau d'une pluralité de points dans un plan, des informations concernant l'effet de la température d'une plaquette de semi-conducteur sur l'indice de réfraction de la plaquette de semi-conducteur sont dérivées à l'avance, la température de la plaquette de semi-conducteur au niveau d'une pluralité de positions de mesure est mesurée, et la valeur de l'indice de réfraction de la plaquette de semi-conducteur utilisé pour calculer une valeur de mesure d'épaisseur au niveau des positions de mesure est déterminée sur la base des informations et de la température mesurée de la plaquette de semi-conducteur.
(JA) 半導体ウェーハの厚みを面内の複数点において分光干渉方式で短時間に測定する際に、面内の温度ばらつきに起因する厚み測定値のばらつきを抑制することが可能な半導体ウェーハの厚み測定方法を提供する。本開示では、半導体ウェーハの厚みを面内の複数点において分光干渉方式で測定する際に、半導体ウェーハの温度が半導体ウェーハの屈折率に与える影響に関する情報を予め求め、各測定位置での半導体ウェーハの温度を測定し、前記情報と、測定した半導体ウェーハの温度とに基づいて、各測定位置での厚み測定値の算出に用いる半導体ウェーハの屈折率の値を決定する。
Related patent documents
国際事務局に記録されている最新の書誌情報