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1. WO2020261833 - 銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、銅/セラミックス接合体の製造方法、及び、絶縁回路基板の製造方法

公開番号 WO/2020/261833
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020292
国際出願日 22.05.2020
IPC
C04B 37/02 2006.1
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
37焼成セラミック物品と他の焼成セラミック物品または他の物品との加熱による接合
02金属物品との
H01L 23/12 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 23/14 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
14材料またはその電気特性に特徴のあるもの
CPC
C04B 37/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
37Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
02with metallic articles
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 23/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
14characterised by the material or its electrical properties
出願人
  • 三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 寺▲崎▼ 伸幸 TERASAKI Nobuyuki
代理人
  • 松沼 泰史 MATSUNUMA Yasushi
  • 寺本 光生 TERAMOTO Mitsuo
  • 細川 文広 HOSOKAWA Fumihiro
  • 大浪 一徳 ONAMI Kazunori
優先権情報
2019-11850526.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COPPER/CERAMIC JOINED BODY, INSULATION CIRCUIT BOARD, COPPER/CERAMIC JOINED BODY PRODUCTION METHOD, AND INSULATION CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD
(FR) CORPS ASSEMBLÉ CUIVRE/CÉRAMIQUE, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ D'ISOLATION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CORPS ASSEMBLÉ CUIVRE/CÉRAMIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ D'ISOLATION
(JA) 銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、銅/セラミックス接合体の製造方法、及び、絶縁回路基板の製造方法
要約
(EN) This copper/ceramic joined body includes: a copper member formed of copper or a copper alloy; and a ceramic member formed of aluminium nitride, wherein the copper member and the ceramic member are joined together, and a Mg-O layer is formed at a joining interface between the copper member and the ceramic member.
(FR) L'invention concerne un corps assemblé cuivre/céramique qui comprend : un élément en cuivre formé de cuivre ou d'un alliage de cuivre ; et un élément céramique formé de nitrure d'aluminium, l'élément en cuivre et l'élément en céramique étant assemblés l'un à l'autre, et une couche de Mg-O étant formée au niveau d'une interface de jonction entre l'élément en cuivre et l'élément en céramique.
(JA) この銅/セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、窒化アルミニウムからなるセラミックス部材とを有し、前記銅部材と、前記セラミックス部材とは接合され、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面に、Mg-O層が形成されている。
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