処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020261817 - 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法

公開番号 WO/2020/261817
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/019711
国際出願日 19.05.2020
IPC
H01L 21/822 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H01L 27/146 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
CPC
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 舍川 進 TONEGAWA Susumu
代理人
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 小林 龍 KOBAYASHI Toru
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
優先権情報
2019-11686725.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法
要約
(EN) This solid-state imaging element is provided with: a photodiode; a semiconductor substrate that includes a floating diffusion; a PD-side electrode disposed on a surface opposite to the light entry surface of the photodiode; a capacitor that has a counter-PD-side electrode opposed to the PD-side electrode with a dielectric film therebetween; an amplifier transistor; and an FD-side wiring electrode for connecting the floating diffusion to the amplifier transistor. The FD-side wiring electrode and at least a part of the PD-side electrode are formed in the semiconductor substrate so as to extend in the thickness direction of the semiconductor substrate. One end of a first contact hole having at least a part of the PD-side wiring electrode formed therein and one end of a second contact hole having the FD-side wiring electrode formed therein, are positioned on a surface opposite to the photodiode side of the semiconductor substrate.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs pourvu : d'une photodiode; d'un substrat semi-conducteur comprenant une diffusion flottante; d'une électrode côté PD disposée sur une surface opposée à la surface d'entrée de lumière de la photodiode; d'un condensateur comportant une contre-électrode côté PD disposée opposée à l'électrode côté PD, un film diélectrique les séparant; d'un transistor amplificateur; et d'une électrode de câblage côté FD permettant de connecter la diffusion flottante au transistor amplificateur. L'électrode de câblage côté FD et au moins une partie de l'électrode côté PD sont formées dans le substrat semi-conducteur de manière à s'étendre dans la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur. Une extrémité d'un premier trou de contact comportant au moins une partie de l'électrode de câblage côté PD formée en son sein et une extrémité d'un second trou de contact comportant l'électrode de câblage côté FD formée en son sein, sont positionnées sur une surface opposée au côté photodiode du substrat semi-conducteur.
(JA) フォトダイオードと、フローティングディフュージョンを含む半導体基板と、フォトダイオードの光が入射する面と反対の面に配置したPD側電極と、PD側電極と誘電膜を間に挟んで対向する反PD側電極を有するキャパシタと、増幅トランジスタと、フローティングディフュージョンと増幅トランジスタとを接続するFD側配線電極を備え、PD側電極の少なくとも一部とFD側配線電極とは、半導体基板内に半導体基板の厚さ方向に沿って延びる形状に形成され、PD側電極の少なくとも一部を内部に形成する第1コンタクトホールの一端とFD側配線電極を内部に形成する第2コンタクトホールの一端は、共に半導体基板のフォトダイオード側とは反対の面に位置している固体撮像素子。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報