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1. WO2020261766 - 発光装置及びその製造方法

公開番号 WO/2020/261766
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/018425
国際出願日 01.05.2020
IPC
H01L 33/46 2010.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
44コーティングに特徴があるもの,例.パシベーション層,反射防止コーティング
46反射コーティング,例.誘電体ブラッグ反射鏡
H01L 33/54 2010.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
52封止
54特定の形状を有するもの
H01L 33/56 2010.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
52封止
56材料,例.エポキシ樹脂,シリコン樹脂
H01L 33/58 2010.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
58光の形状を形成する要素
H01S 5/022 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022マウント;ハウジング
CPC
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
H01L 33/54
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
54having a particular shape
H01L 33/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
H01L 33/58
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
58Optical field-shaping elements
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
出願人
  • 豊田合成株式会社 TOYODA GOSEI CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 武田 重郎 TAKEDA, Shigeo
  • 纐纈 真史 KOKETSU, Masashi
  • 下西 正太 SHIMONISHI, Shota
代理人
  • 特許業務法人平田国際特許事務所 HIRATA & PARTNERS
優先権情報
2019-11687825.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 発光装置及びその製造方法
要約
(EN) Provided is a light-emitting device 1 provided with: a substrate 10; a light-emitting element 13 that has a DBR film 14 and that is mounted on the substrate 10; a light-reflective film 16 provided on a surface of the substrate 10; and a sealing member 17 that is a lens-shaped potting-molded article for sealing the light-emitting element 13 and that is provided on the substrate 10 so that an edge of the bottom surface of the sealing member 17 contacts the upper surface of the light-reflective film 16, wherein a contact angle θ between the sealing member 17 and the upper surface of the light-reflective film 16 is greater than or equal to 40°.
(FR) L'invention concerne un dispositif électroluminescent 1 comportant : un substrat 10 ; un élément électroluminescent 13 qui a un film DBR 14 et qui est monté sur le substrat 10 ; un film réfléchissant la lumière 16 disposé sur une surface du substrat 10 ; et un élément d'étanchéité 17 qui est un article moulé d'enrobage en forme de lentille pour sceller l'élément électroluminescent 13 et qui est disposé sur le substrat 10 de telle sorte qu'un bord de la surface inférieure de l'élément d'étanchéité 17 entre en contact avec la surface supérieure du film réfléchissant la lumière 16, un angle de contact θ entre l'élément d'étanchéité 17 et la surface supérieure du film réfléchissant la lumière 16 étant supérieur ou égal à 40°.
(JA) 基板10と、基板10上に実装された、DBR膜14付き発光素子13と、基板10の表面上に設けられた光反射膜16と、底面の縁が光反射膜16の上面に接するように基板10上に設けられた、発光素子13を封止するレンズ形状の滴下成形物である封止部材17と、を備え、封止部材17の光反射膜16の上面との接触角θが40°以上である、発光装置1を提供する。
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