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1. WO2020261745 - 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの厚み測定システム

公開番号 WO/2020/261745
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/017836
国際出願日 24.04.2020
IPC
G01B 11/06 2006.1
G物理学
01測定;試験
B長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
11光学的手段の使用によって特徴づけられた測定装置
02長さ,幅または厚み測定用
06厚み測定用
H01L 21/66 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01B 11/06
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
02for measuring length, width or thickness
06for measuring thickness ; ; e.g. of sheet material
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 宮崎 裕司 MIYAZAKI Yuji
  • 木原 誉之 KIHARA Takayuki
  • 高梨 啓一 TAKANASHI Keiichi
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
優先権情報
2019-11868626.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR WAFER THICKNESS MEASUREMENT METHOD AND SEMICONDUCTOR WAFER THICKNESS MEASUREMENT SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE MESURE D'ÉPAISSEUR DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの厚み測定システム
要約
(EN) Provided is a semiconductor wafer thickness measurement method that makes it possible to use spectral interference to quickly measure the thickness of a semiconductor wafer at a plurality of points on a surface while suppressing thickness measurement value dispersion resulting from temperature dispersion on the surface. In this invention, when spectral interference is used to measure the thickness of a semiconductor wafer at a plurality of points on a surface, for each of a plurality of points on a surface of the semiconductor wafer: the refractive index and thickness optical path length at a prescribed position on the surface of the semiconductor wafer are determined, and a measured semiconductor wafer thickness value for the prescribed position is determined by dividing the optical path length by the refractive index.
(FR) L'invention concerne un procédé de mesure d'épaisseur de tranche de semi-conducteur qui permet de faire appel à une interférence spectrale pour mesurer rapidement l'épaisseur d'une tranche de semi-conducteur au niveau d'une pluralité de points sur une surface tout en supprimant la dispersion de valeur de mesure d'épaisseur résultant d'une dispersion de température sur la surface. Selon la présente invention, lorsque l'interférence spectrale est utilisée pour mesurer l'épaisseur d'une tranche de semi-conducteur au niveau d'une pluralité de points sur une surface, pour chaque point d'une pluralité de points sur une surface de la tranche de semi-conducteur : l'indice de réfraction et la longueur de trajet optique d'épaisseur à une position prescrite sur la surface de la tranche de semi-conducteur sont déterminés, et une valeur d'épaisseur de tranche de semi-conducteur mesurée pour la position prescrite est déterminée par division de la longueur de trajet optique par l'indice de réfraction.
(JA) 半導体ウェーハの厚みを面内の複数点において分光干渉方式で短時間に測定する際に、面内の温度ばらつきに起因する厚み測定値のばらつきを抑制することが可能な半導体ウェーハの厚み測定方法を提供する。半導体ウェーハの厚みを面内の複数点において分光干渉方式で測定する際に、半導体ウェーハ表面の所定位置における屈折率及び厚みの光路長を求め、当該光路長を屈折率で除することによって、所定位置での半導体ウェーハの厚み測定値を求め、これを半導体ウェーハの面内の複数点で行う。
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