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1. WO2020261736 - 選択素子、メモリセル、および、記憶装置

公開番号 WO/2020/261736
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/017291
国際出願日 22.04.2020
IPC
H01L 45/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 49/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49H01L27/00~H01L47/00およびH01L51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 43/08 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
H01L 43/10 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10材料の選択
G11C 13/00 2006.1
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
13G11C11/00,G11C23/00,またはG11C25/00に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置
H01L 21/8239 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
CPC
G11C 13/00
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
H01L 21/8239
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8239Memory structures
H01L 27/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
H01L 27/11507
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11502with ferroelectric memory capacitors
11507characterised by the memory core region
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
H01L 43/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
10Selection of materials
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 紫牟田 雅之 SHIMUTA, Masayuki
  • 椎本 恒則 SHIIMOTO, Tsunenori
代理人
  • 丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu
優先権情報
2019-11828126.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SELECTION ELEMENT, MEMORY CELL, AND STORAGE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE SÉLECTION, CELLULE DE MÉMOIRE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 選択素子、メモリセル、および、記憶装置
要約
(EN) In the present invention, with regard to a selection element that is provided with a plurality of switch layers and that performs selection control in accordance with an applied voltage, the usage-possible period of the selection element is extended. This selection element is provided with a first and a second electrode, a plurality of switch layers, and an intermediate electrode. The first and second electrodes are provided so as to face each other. The intermediate electrode is disposed between the first and the second electrodes. The plurality of switch layers are disposed so as to sandwich the intermediate electrode. The direction in which the plurality of switch layers sandwich the intermediate electrode is the direction in which the first and the second electrodes face each other.
(FR) Selon la présente invention, par rapport à un élément de sélection qui est pourvu d’une pluralité de couches de commutation et qui réalise une commande de sélection selon une tension appliquée, la période d’utilisation possible de l’élément de sélection est étendue. L'élément de sélection selon l'invention est pourvu d’une première et d’une seconde électrode, d’une pluralité de couches de commutation et d’une électrode intermédiaire. Les première et seconde électrodes sont disposées de manière à se faire face. L'électrode intermédiaire est disposée entre les première et seconde électrodes. La pluralité de couches de commutation sont disposées de manière à prendre en sandwich l’électrode intermédiaire. La direction dans laquelle la pluralité de couches de commutation prennent en sandwich l’électrode intermédiaire est la direction dans laquelle les première et seconde électrodes se font face.
(JA) 複数のスイッチ層を備えて印加電圧に応じて選択制御を行う選択素子について、その選択素子としての使用可能期間を延ばす。 選択素子は、第1および第2の電極と、複数のスイッチ層と、中間電極とを備える。第1および第2の電極は、互いに対向して設けられる。中間電極は、第1および第2の電極の間に配置される。複数のスイッチ層は、中間電極を挟んで配置される。複数のスイッチ層が中間電極を挟む向きは、第1および第2の電極が対向する向きである。
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