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1. WO2020261730 - パッケージ、および、パワー半導体モジュールの製造方法

公開番号 WO/2020/261730
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/017028
国際出願日 20.04.2020
IPC
H01L 23/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
02容器,封止
04形状に特徴のあるもの
H01L 23/10 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
02容器,封止
10部品間,例.容器の蓋と基台との間または容器のリードと壁との間,の封止の材料または配列に特徴のあるもの
H01L 23/34 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
H01L 25/07 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
04characterised by the shape ; of the container or parts, e.g. caps, walls
H01L 23/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
10characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
H01L 23/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • NGKエレクトロデバイス株式会社 NGK ELECTRONICS DEVICES, INC. [JP]/[JP]
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 築山 良男 TSUKIYAMA Yoshio
  • 山口 哲平 YAMAGUCHI Teppei
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
  • 中尾 和樹 NAKAO Kazuki
  • 喜多 弘行 KITA Hiroyuki
優先権情報
2019-11739325.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PACKAGE, AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) EMBALLAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) パッケージ、および、パワー半導体モジュールの製造方法
要約
(EN) In the present invention, a frame body (81) contains a first resin, has an external terminal electrode (90) connected to the frame body, and has a first adherence surface (S1). A heat sink plate (50C): supports the frame body (81); has an unmounted area (55U) inside the frame body (81) in a plan view where a power semiconductor element (200) is to be mounted; is made of metal; and has a second adherence surface (S2). An adhesive layer (41) contains a second resin, which is different from the first resin, and bonds together the first adherence surface (S1) of the frame body (81) and the second adherence surface (S2) of the heat sink plate (50C). One of the first adherence surface (S1) and the second adherence surface (S2) has a flat part, and a projecting part that projects from the flat part and opposes the other of the first adherence surface (S1) and the second adherence surface (S2) via the adhesive layer (41).
(FR) La présente invention concerne un corps de cadre (81) qui contient une première résine, comprend une électrode de borne externe (90) reliée au corps de cadre, et a une première surface d'adhérence (S1). Une plaque de dissipateur thermique (50C) : supporte le corps de cadre (81) ; a une zone non montée (55U) à l'intérieur du corps de cadre (81) dans une vue en plan où doit être monté un élément semi-conducteur de puissance (200) ; est constituée de métal ; et a une seconde surface d'adhérence (S2). Une couche adhésive (41) contient une seconde résine, qui est différente de la première résine, et lie ensemble la première surface d'adhérence (S1) du corps de cadre (81) et la seconde surface d'adhérence (S2) de la plaque de dissipateur thermique (50C). La première surface d'adhérence (S1) ou la seconde surface d'adhérence (S2) présente une partie plate, et une partie saillante qui fait saillie à partir de la partie plate et s'oppose à l'autre surface d'adhérence par l'intermédiaire de la couche adhésive (41).
(JA) 枠体(81)は、第1の樹脂を含有しており、外部端子電極(90)が取り付けられており、第1の被接着面(S1)を有している。ヒートシンク板(50C)は、枠体(81)を支持しており、パワー半導体素子(200)が実装されることになる未実装領域(55U)を平面視において枠体(81)内に有しており、金属からなり、第2の被接着面(S2)を有している。接着層(41)は、第1の樹脂と異なる第2の樹脂を含有しており、枠体(81)の第1の被接着面(S1)とヒートシンク板(50C)の第2の被接着面(S2)とを互いに接着している。第1の被接着面(S1)および第2の被接着面(S2)の一方は、平坦部と、平坦部から突き出て、接着層(41)を介して第1の被接着面(S1)および第2の被接着面(S2)の他方と向かい合う突起部とを有している。
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