(EN) A channel layer (103) has a quantum well configuration constituted by InGaAs or InGaAsSb, and is constituted by a barrier layer (131), a well layer (132), and a barrier layer (133). The present invention comprises an intermediate layer (111) and an intermediate layer (112) which are respectively formed between the barrier layer (131), the barrier layer (133), and the well layer (132). The intermediate layer (111) and the intermediate layer (112) are constituted by InGaAs or InGaAsSb in which an In composition ratio is greater than in the barrier layer (131) and the barrier layer (133) and less than in the well layer (132).
(FR) L'invention concerne une couche de canal (103) ayant une configuration de puits quantique constituée d'InGaAs ou d'InGaAsSb, et est constituée d'une couche barrière (131), d'une couche de puits (132) et d'une couche barrière (133). La présente invention comprend une couche intermédiaire (111) et une couche intermédiaire (112) qui sont respectivement formées entre la couche barrière (131), la couche barrière (133) et la couche de puits (132). La couche intermédiaire (111) et la couche intermédiaire (112) sont constituées d'InGaAs ou d'InGaAsSb dans lesquels un rapport de composition d'In est supérieur à celui dans la couche barrière (131) et la couche barrière (133) et moins que dans la couche de puits (132).
(JA) チャネル層（１０３）は、ＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＳｂから構成された量子井戸構造とされ、障壁層（１３１），井戸層（１３２），障壁層（１３３）から構成されている。障壁層（１３１），障壁層（１３３）と、井戸層（１３２）との間の各々に形成された中間層（１１１），中間層（１１２）を備える。中間層（１１１），中間層（１１２）は、Ｉｎ組成比が、障壁層（１３１），障壁層（１３３）より多く井戸層（１３２）より小さいＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＳｂから構成されている。
