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1. WO2020261466 - 断熱構造体、基板処理装置および半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/261466
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/025525
国際出願日 27.06.2019
IPC
H01L 21/31 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
CPC
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 嶋田 寛哲 SHIMADA, Hironori
  • 谷山 智志 TANIYAMA, Tomoshi
代理人
  • 特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HEAT INSULATION STRUCTURE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) STRUCTURE D'ISOLATION THERMIQUE, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 断熱構造体、基板処理装置および半導体装置の製造方法
要約
(EN) Provided is a technology that improves the heat insulation performance of a lower portion of a treatment chamber and shortens a temperature stabilization time in the treatment chamber. This heat insulation structure disposed near a throat, with a temperature gradient, of a heat treatment furnace has: a heat shielding material made of metal; and a sealing member that is made of quartz or ceramic and covers the front and rear surfaces of the heat shielding material, wherein a plurality of heat insulation plates on which the heat shielding material is arranged are provided in a vacuum cavity formed inside the sealing member, and the plurality of heat insulation plates are arranged at intervals from each other.
(FR) La présente invention concerne une technologie qui améliore les performances d'isolation thermique d'une partie inférieure d'une chambre de traitement et qui écourte un temps de stabilisation de température dans la chambre de traitement. Cette structure d'isolation thermique disposée à proximité d'une gorge, ayant un gradient de température, d'un four de traitement thermique comporte : un matériau de protection thermique en métal ; et un élément d'étanchéité qui est constitué de quartz ou de céramique et qui recouvre les surfaces avant et arrière du matériau de protection thermique, une pluralité de plaques d'isolation thermique sur lesquelles est disposé le matériau de protection thermique, étant disposées dans une cavité sous vide formée à l'intérieur de l'élément d'étanchéité, et la pluralité de plaques d'isolation thermique étant agencées à intervalles les unes des autres.
(JA) 処理室下部の断熱性能を向上させて、処理室内の温度安定時間を短縮する技術を提供する。 熱処理炉の温度勾配を伴う炉口付近に配置される断熱構造体は、金属製の遮熱材と、遮熱材の表裏各面を覆う石英もしくはセラミックス製の封止部材と、を有し、前記封止部材の内部に構成された真空の空洞に前記遮熱材が配置された断熱板を複数備え、複数の断熱板が、それぞれ互いに間隔を空けて配置される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報