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1. WO2020261385 - 半導体装置および電力変換装置

公開番号 WO/2020/261385
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/025170
国際出願日 25.06.2019
IPC
H01L 23/58 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
58他に分類されない半導体装置用構造的電気的装置
G01R 31/04 2006.1
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
02電気的装置,電線または構成要素の短絡,断線,漏電もしくは誤接続の試験
04接続部,例.プラグまたは切り離しのできないジョイント,の試験
G01R 31/28 2006.1
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
28電子回路の試験,例.シグナルトレーサーによるもの
H01L 25/07 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
G01R 31/28
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
H01L 23/58
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 和田 幸彦 WADA, Yukihiko
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT
(JA) 半導体装置および電力変換装置
要約
(EN) In the present invention, an emitter main terminal (3) is connected by a plurality of first bonding wires (15) and an emitter electrode surface (12) of a power semiconductor element (1). An emitter reference terminal (4) is connected by a second bonding wire (16) and the emitter electrode surface (12) of the power semiconductor element (1). A deteriorated location identification unit (9): references correspondence information related to a combination of a change over time of a first voltage, which is a difference between a potential of the collector main terminal (2) and that of the emitter main terminal (3), and a change over time of a second voltage, which is a difference between a potential of the emitter reference terminal (4) and that of the emitter main terminal (3), the correspondence information defining a deteriorated location among a plurality of bonding locations (20) of the emitter electrode surface (12) to which each of the plurality of first bonding wires (15) are connected; and identifies a deteriorated location that corresponds to the combination of the change over time of the first voltage measured by a first voltage measurement circuit (5) and the change over time of the second voltage measured by a second voltage measurement circuit (6).
(FR) La présente invention concerne une borne principale d'émetteur (3) qui est connectée par une pluralité de premiers fils de liaison (15) et une surface d'électrode d'émetteur (12) d'un élément semi-conducteur de puissance (1). Une borne de référence d'émetteur (4) est connectée par un second fil de liaison (16) et la surface d'électrode d'émetteur (12) de l'élément semi-conducteur de puissance (1). Une unité d'identification d'emplacement détérioré (9) : référence des informations de correspondance relatives à une combinaison de changement dans le temps d'une première tension, qui est une différence de potentiel entre la borne principale de collecteur (2) et la borne principale d'émetteur (3), et de changement dans le temps d'une seconde tension, qui est une différence de potentiel entre la borne de référence d'émetteur (4) et la borne principale d'émetteur (3), les informations de correspondance définissant un emplacement détérioré parmi une pluralité d'emplacements de liaison (20) de la surface d'électrode d'émetteur (12) à laquelle est connecté chaque fil de liaison de la pluralité de premiers fils de liaison (15) ; et identifie un emplacement détérioré qui correspond à la combinaison du changement dans le temps de la première tension mesurée par un premier circuit de mesure de tension (5) et du changement dans le temps de la seconde tension mesurée par un second circuit de mesure de tension (6).
(JA) エミッタ主端子(3)は、パワー半導体素子(1)のエミッタ電極面(12)と複数の第1のボンディングワイヤ(15)によって接続される。エミッタ参照端子(4)は、パワー半導体素子(1)のエミッタ電極面(12)と第2のボンディングワイヤ(16)によって接続される。劣化箇所特定部(9)は、コレクタ主端子(2)の電位とエミッタ主端子(3)の電位の差である第1の電圧の時間変化およびエミッタ参照端子(4)の電位とエミッタ主端子(3)の電位の差である第2の電圧の時間変化の組み合わせに対する、複数の第1のボンディングワイヤ(15)がそれぞれ接続されるエミッタ電極面(12)との複数の接合箇所(20)のうちの劣化箇所を定めた対応情報を参照して、第1の電圧計測回路(5)によって計測された第1の電圧の時間変化および第2の電圧計測回路(6)によって計測された第2の電圧の時間変化の組み合わせに対応する劣化箇所を特定する。
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