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1. WO2020261039 - 高周波増幅回路を有する半導体装置、電子部品、および電子機器

公開番号 WO/2020/261039
公開日 30.12.2020
国際出願番号 PCT/IB2020/055591
国際出願日 16.06.2020
IPC
H03K 5/1532 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
5このサブクラスの他のメイングループの1によっては包括されないパルスの操作
153入力信号が予定された特性にきたとき瞬時にまたはある時間間隔をもって1つのパルスを与える配置
1532ピーク検知器
H01L 27/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
H01L 21/822 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H01L 21/8234 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
H01L 27/06 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
06複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
CPC
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 21/8234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
H01L 27/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H01L 27/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 國武寛司 KUNITAKE, Hitoshi
  • 池田隆之 IKEDA, Takayuki
  • 加藤清 KATO, Kiyoshi
  • 柳澤悠一 YANAGISAWA, Yuichi
  • 水上翔太 MIZUKAMI, Shota
  • 津田一樹 TSUDA, Kazuki
優先権情報
2019-12156428.06.2019JP
2019-18392604.10.2019JP
2020-07840827.04.2020JP
2020-08184907.05.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-FREQUENCY AMPLIFICATION CIRCUIT, ELECTRONIC COMPONENT, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AYANT UN CIRCUIT D'AMPLIFICATION HAUTE FRÉQUENCE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 高周波増幅回路を有する半導体装置、電子部品、および電子機器
要約
(EN) Provided is a semiconductor device withi minimized increase in circuit area and less power consumption. The semiconductor device has a high-frequency amplification circuit, an envelope detection circuit, and power supply circuit. The power supply circuit has a function to supply a power supply potential to the high-frequency amplification circuit, the output of the high-frequency amplification circuit is connected to the envelope detection circuit, and the output of the envelope detection circuit is connected to the power supply circuit. The power supply circuit is capable of reducing power consumption by changing the power supply potential in accordance with the output of the high-frequency amplification circuit. In addition, an increase in circuit area can be minimized by configuring the envelope detection circuit using an OS transistor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur présentant une augmentation minimale de surface de circuit et une faible consommation d'énergie. Le dispositif à semi-conducteur comprend un circuit d'amplification haute fréquence, un circuit de détection d'enveloppe et un circuit d'alimentation électrique. Le circuit d'alimentation électrique a une fonction pour fournir un potentiel d'alimentation électrique au circuit d'amplification haute fréquence, la sortie du circuit d'amplification haute fréquence est connectée au circuit de détection d'enveloppe, et la sortie du circuit de détection d'enveloppe est connectée au circuit d'alimentation électrique. Le circuit d'alimentation électrique est capable de réduire la consommation d'énergie en modifiant le potentiel d'alimentation électrique en fonction de la sortie du circuit d'amplification haute fréquence. De plus, une augmentation de la zone de circuit peut être rendue minimale par la configuration du circuit de détection d'enveloppe à l'aide d'un transistor OS.
(JA) 回路面積の増大を抑制し、消費電力を削減した半導体装置を提供する。 半導体装置は、高周波増幅回路、包絡線検波回路、および電源回路を有する。電源回路は高周波増 幅回路に電源電位を供給する機能を有し、高周波増幅回路の出力は包絡線検波回路に接続され、包 絡線検波回路の出力は電源回路に接続される。電源回路は、前記電源電位を、高周波増幅回路の出 力に応じて変化することで、消費電力を削減することができる。また、OSトランジスタを用いて 包絡線検波回路を構成することで、回路面積の増大を抑制することができる。
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