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1. WO2020250878 - 研磨ヘッド、当該研磨ヘッドを備える研磨装置、および当該研磨装置を用いた研磨方法

公開番号 WO/2020/250878
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/022649
国際出願日 09.06.2020
IPC
B24B 57/02 2006.1
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
57研削,研磨またはラッピング剤の供給,適用,分級または再生のための装置
02流体状,噴霧状,粉状,または液体研削,研磨またはラップ剤を供給するもの
B24B 37/00 2012.1
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
B24B 37/10 2012.1
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
04平面を加工するために設計されたもの
07工作物またはラップ工具の動きに特徴のあるもの
10片面ラッピングのためのもの
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B24B 37/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
B24B 37/10
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
07characterised by the movement of the work or lapping tool
10for single side lapping
B24B 57/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
57Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
02for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 株式会社荏原製作所 EBARA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 古澤 磨奈人 FURUSAWA, Manato
  • 赤澤 賢一 AKAZAWA, Kenichi
  • 小林 賢一 KOBAYASHI, Kenichi
代理人
  • 宮前 徹 MIYAMAE, Toru
  • 鐘ヶ江 幸男 KANEGAE, Yukio
  • 渡邊 誠 WATANABE, Makoto
優先権情報
2019-10971812.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING HEAD, POLISHING DEVICE PROVIDED WITH POLISHING HEAD, AND POLISHING METHOD IN WHICH POLISHING DEVICE IS USED
(FR) TÊTE DE POLISSAGE, DISPOSITIF DE POLISSAGE POURVU DE LA TÊTE DE POLISSAGE, ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DANS LEQUEL LE DISPOSITIF DE POLISSAGE EST UTILISÉ
(JA) 研磨ヘッド、当該研磨ヘッドを備える研磨装置、および当該研磨装置を用いた研磨方法
要約
(EN) To supply a sufficient amount of liquid to a substrate without use of a rotary joint in a face-up-type polishing device. The present application discloses, as one embodiment, a polishing head 200 for a polishing device 1000 that holds a substrate 110 so that a surface to be polished of the substrate 110 faces upward. The polishing head 200 comprises: a liquid reservoir part 230 for receiving a liquid, the liquid reservoir part 230 being provided around a rotating shaft 240 of the polishing head 200; a liquid injection opening 270 for injecting the liquid into the liquid reservoir part 230, the liquid injection opening 270 being provided to an upper part of the liquid reservoir part 230; a liquid discharge opening 260 for discharging the liquid from the liquid reservoir part 230, the liquid discharge opening 260 being provided to a lower part of the liquid reservoir part 230; and a pressure-feeding part 250 for pressure-feeding the liquid received by the liquid reservoir part 230 via the liquid discharge opening 260.
(FR) L'objectif de la présente invention est fournir une quantité suffisante de liquide à un substrat sans utiliser un joint rotatif dans un dispositif de polissage orienté vers le haut. La présente invention concerne, dans un mode de réalisation, une tête de polissage (200) pour un dispositif de polissage (1000) qui maintient un substrat (110) de telle sorte qu'une surface à polir du substrat (110) est tournée vers le haut. La tête de polissage (200) comprend : une partie réservoir de liquide (230) destinée à recevoir un liquide, la partie réservoir de liquide (230) étant disposée autour d'un arbre rotatif (240) de la tête de polissage (200) ; une ouverture d'injection de liquide (270) pour injecter le liquide dans la partie réservoir de liquide (230), l'ouverture d'injection de liquide (270) étant disposée sur une partie supérieure de la partie réservoir de liquide (230) ; une ouverture d'évacuation de liquide (260) pour évacuer le liquide de la partie réservoir de liquide (230), l'ouverture d'évacuation de liquide (260) étant disposée sur une partie inférieure de la partie réservoir de liquide (230) ; et une partie d'alimentation en pression (250) pour l'alimentation en pression le liquide reçu par la partie réservoir de liquide (230) par l'intermédiaire de l'ouverture d'évacuation de liquide (260).
(JA) フェースアップ式の研磨装置において、ロータリジョイントを介さずに充分な量の液体を基板に供給する。 本願は、一実施形態として、基板110の被研磨面が上向きとなるように基板110を保持する研磨装置1000のための研磨ヘッド200を開示する。研磨ヘッド200は、研磨ヘッド200の回転シャフト240の周囲に設けられた、液体を受けるための液体リザーバ部230と、液体リザーバ部230の上部に設けられた、液体を液体リザーバ部230に注入するための液体注入口270と、液体リザーバ部230の下部に設けられた、液体を液体リザーバ部230から排出するための液体排出口260と、液体リザーバ部230により受けられた液体を、液体排出口260を介して圧送するための圧送部250と、を備える。
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