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1. WO2020250751 - エッチング方法、及びエッチング装置

公開番号 WO/2020/250751
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/021769
国際出願日 02.06.2020
IPC
H01L 21/3065 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • ユニバーシテ ド オルレアン UNIVERSITE D'ORLEANS [FR]/[FR]
発明者
  • 田原 慈 TAHARA, Shigeru
  • ファゲ ジャック FAGUET, Jacques
  • 前川 薫 MAEKAWA, Kaoru
  • 大野 久美子 ONO, Kumiko
  • 佐藤 渚 SATO, Nagisa
  • デュサー レミ DUSSART, Remi
  • ティロシェー トマス TILLOCHER, Thomas
  • ルフォシュ フィリップ LEFAUCHEUX, Philippe
  • アントン ガエル ANTOUN, Gaelle
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2019-10999013.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET DISPOSITIF DE GRAVURE
(JA) エッチング方法、及びエッチング装置
要約
(EN) This etching method includes: a physisorption step of cooling an object to be processed on which a film to be etched is formed while causing an adsorbate based on a first processing gas to be physiosorbed on the film to be etched under conditions in which the pressure of the first processing gas is smaller than a saturated vapor pressure of the first processing gas relative to the temperature of the object to be processed; and an etching step of etching the film to be etched by reacting the adsorbate and the film to be etched with the plasma of a second processing gas.
(FR) Procédé de gravure comprenant : une étape de physisorption consistant à refroidir un objet à traiter sur lequel un film à graver est formé tout en amenant un adsorbat sur la base d'un premier gaz de traitement à être physisorbé sur le film à graver dans des conditions dans lesquelles la pression du premier gaz de traitement est inférieure à une pression de vapeur saturée du premier gaz de traitement par rapport à la température de l'objet à traiter ; et une étape de gravure consistant à graver le film à graver en faisant réagir l'adsorbat et le film à graver avec le plasma d'un second gaz de traitement.
(JA) エッチング方法は、エッチング対象膜が形成された被処理体を冷却しながら、第1の処理ガスの圧力が被処理体の温度に対する該第1の処理ガスの飽和蒸気圧よりも小さい条件下で該第1の処理ガスに基づく吸着物をエッチング対象膜に物理吸着させる物理吸着工程と、吸着物とエッチング対象膜とを第2の処理ガスのプラズマにより反応させることにより、エッチング対象膜をエッチングするエッチング工程とを含む。
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