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1. WO2020250660 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/250660
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020634
国際出願日 25.05.2020
IPC
H01L 23/12 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 23/28 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
H01L 23/29 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 23/31 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
31配列に特徴のあるもの
CPC
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 23/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 23/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 富士 和則 FUJI Kazunori
代理人
  • 恩田 誠 ONDA Makoto
  • 恩田 博宣 ONDA Hironori
優先権情報
2019-11137814.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
要約
(EN) This semiconductor device (1) comprises: an insulating layer (30); a plurality of wirings (40); a semiconductor element (10); and a sealing resin (20). The insulating layer (30) has a main surface (31) and a back surface (32) which face opposite sides in a thickness direction (Z), and a side surface (33) formed between the main surface (31) and the back surface (32) in the thickness direction (Z). The plurality of wirings (40) have embedded portions (41) embedded in the insulating layer (30), and rewiring portions (42) which are formed from the back surface (32) to the side surface (33), and are made of a metal film connected to the embedded portions (41). The semiconductor element (10) has a plurality of electrodes (14) connected to at least a part of the embedded portions (41) of the plurality of wirings (40), and is mounted on the main surface (31). The sealing resin (20) is in contact with the main surface (31) and covers the semiconductor element (10).
(FR) Dispositif à semi-conducteur (1) comprenant : une couche isolante (30) ; une pluralité de câblages (40) ; un élément semi-conducteur (10) ; et une résine d'étanchéité (20). La couche isolante (30) comporte une surface principale (31) et une surface arrière (32) qui font face à des côtés opposés dans le sens de l'épaisseur (Z), et une surface latérale (33) formée entre la surface principale (31) et la surface arrière (32) dans le sens de l'épaisseur (Z). La pluralité de câblages (40) possèdent des parties intégrées (41) incorporées dans la couche isolante (30) et des parties de recâblage (42) qui sont formées de la surface arrière (32) à la surface latérale (33) et sont constituées d'un film métallique relié aux parties intégrées (41). L'élément semi-conducteur (10) comporte une pluralité d'électrodes (14) reliées à au moins une partie des parties intégrées (41) de la pluralité de câblages (40) et est monté sur la surface principale (31). La résine d'étanchéité (20) est en contact avec la surface principale (31) et recouvre l'élément semi-conducteur (10).
(JA) 半導体装置(1)は、絶縁層(30)と、複数の配線(40)と、半導体素子(10)と、封止樹脂(20)とを備える。絶縁層(30)は、厚さ方向(Z)において互いに反対側を向く主面(31)及び裏面(32)、並びに主面(31)と裏面(32)との厚さ方向(Z)の間に形成された側面(33)を有する。複数の配線(40)は、絶縁層(30)に埋め込まれた埋込部(41)、及び裏面(32)から側面(33)までにわたり形成され、埋込部(41)に繋がる金属膜からなる再配線部(42)を有する。半導体素子(10)は、複数の配線(40)の埋込部(41)の少なくとも一部に繋がる複数の電極(14)を有し、主面(31)に搭載される。封止樹脂(20)は、主面(31)に接し、かつ半導体素子(10)を覆う。
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