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1. WO2020250650 - めっき方法、めっき装置、プログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体

公開番号 WO/2020/250650
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020492
国際出願日 25.05.2020
IPC
C25D 7/12 2006.1
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
7被覆される物品に特徴のある電気鍍金
12半導体
C25D 21/12 2006.1
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
21電解被覆用槽の保守または操作方法
12プロセス制御または調整
H01L 21/288 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
CPC
C25D 21/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
21Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
12Process control or regulation
C25D 7/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
7Electroplating characterised by the article coated
12Semiconductors
H01L 21/288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
出願人
  • 株式会社荏原製作所 EBARA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 長井 瑞樹 NAGAI, Mizuki
  • ▲高▼橋 直人 TAKAHASHI, Naoto
代理人
  • 宮前 徹 MIYAMAE, Toru
  • 鐘ヶ江 幸男 KANEGAE, Yukio
  • 渡邊 誠 WATANABE, Makoto
優先権情報
2019-11133914.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLATING METHOD, PLATING DEVICE, AND NON-VOLATILE STORAGE MEDIUM IN WHICH PROGRAM IS STORED
(FR) PROCÉDÉ DE PLACAGE, DISPOSITIF DE PLACAGE ET SUPPORT DE STOCKAGE NON VOLATIL DANS LEQUEL EST STOCKÉ UN PROGRAMME
(JA) めっき方法、めっき装置、プログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体
要約
(EN) A method for performing plating, the method including: a step in which a substrate having different patterns on a first surface and a second surface thereof is prepared; a plating step in which currents having a first plating current density and a second plating current density are supplied to the first surface and the second surface of the substrate, respectively, and respective plating films are formed on the first surface and the second surface; and a step in which, after plating of either of the first surface and the second surface has been completed first, a protective current is supplied to the surface for which the plating was completed first, the protective current having a current density less than the first plating current density or the second plating current density that was supplied during plating of the surface for which the plating was completed first.
(FR) Cette invention concerne un procédé pour effectuer un placage, le procédé comprenant : une étape de préparation d'un substrat ayant des motifs différents sur une première surface et une seconde surface de celui-ci ; une étape de placage à laquelle des courants ayant une première densité de courant de placage et une seconde densité de courant de placage sont délivrés à la première surface et à la seconde surface du substrat, respectivement, et des films de placage respectifs sont formés sur la première surface et la seconde surface ; et une étape à laquelle, après que le placage de l'une ou l'autre de la première surface et de la seconde surface a été achevé en premier, un courant de protection est délivré à la surface dont le placage a été achevé en premier, le courant de protection ayant une densité de courant inférieure à la première densité de courant de placage ou à la seconde densité de courant de placage qui a été fournie pendant le placage de la surface dont le placage a été achevé en premier.
(JA) めっきを行うための方法であって、 第1面及び第2面が異なるパターンを有する基板を準備する工程と、 前記基板の前記第1面及び前記第2面に対して、それぞれ第1めっき電流密度及び第2めっき電流密度の電流を供給して、前記第1面及び前記第2面にそれぞれめっき膜を形成するめっき工程と、 前記第1面及び前記第2面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第1めっき電流密度又は前記第2めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給する工程と、を含む、方法。
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