処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020250587 - スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

公開番号 WO/2020/250587
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/017914
国際出願日 27.04.2020
IPC
C23C 14/34 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C04B 35/01 2006.1
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01酸化物を基とするもの
H01L 21/363 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
CPC
C04B 35/01
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
01based on oxide ceramics
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 和田 優 WADA, Masaru
  • 追鳥 宏 OITORI, Hiroshi
  • 齋藤 勝仁 SAITOU, Katsuhito
  • 田屋 和美 TAYA, Kazumi
  • 高橋 一寿 TAKAHASHI, Kazutoshi
代理人
  • 大森 純一 OMORI, Junichi
優先権情報
2019-10793310.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
要約
(EN) [Problem] To more reliably suppress the intrusion of a bonding material into a gap that is formed between adjacent target members. [Solution] A backing tube is cylindrical, and a plurality of recesses are formed in the outer circumferential surface of the backing tube. A target body includes a plurality of cylindrical target members that surround the outer circumferential surface of the backing tube, and the plurality of target members are arranged so as to be separated from each other. A gap which is formed between adjacent target members when the plurality of target members are aligned in a central axis direction extends around the central axis of the backing tube, and the gap intersects the plurality of recesses. A bonding material is provided between the backing tube and the target body so as to bond the backing tube and the plurality of target members to each other. A shielding member is disposed between the bonding material and the target body so as to lay across the plurality of recesses, and the shielding member shields the gap from the bonding material side.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de supprimer plus fiablement l'intrusion d'un matériau de liaison dans un espace qui est formé entre des éléments cibles adjacents. La solution selon l'invention porte sur un tube de renfort qui est cylindrique, et sur une pluralité d'évidements formés dans la surface circonférentielle externe du tube de renfort. Un corps cible comprend une pluralité d'éléments cibles cylindriques qui entourent la surface circonférentielle externe du tube de renfort, et la pluralité d'éléments cibles sont agencés de façon à être séparés les uns des autres. Un espace, qui est formé entre des éléments cibles adjacents lorsque la pluralité d'éléments cibles sont alignés dans une direction d'axe central, s'étend autour de l'axe central du tube de renfort, et l'espace coupe la pluralité d'évidements. Un matériau de liaison est disposé entre le tube de renfort et le corps cible de façon à lier le tube de renfort et la pluralité d'éléments cibles l'un à l'autre. Un élément de protection est disposé entre le matériau de liaison et le corps cible de manière à s’étendre sur la pluralité d'évidements, et l'élément de protection protège l'espace du côté matériau de liaison.
(JA) 【課題】隣り合うターゲット部材間に形成される間隙への接合材の侵入をより確実に抑制する。 【解決手段】バッキングチューブは筒状であり、外周面に複数の凹部が形成されている。ターゲット本体は、バッキングチューブの外周面を囲む円筒状の複数のターゲット部材を有し、複数のターゲット部材のそれぞれが離間するように並設される。中心軸方向に複数のターゲット部材が並ぶにことによって隣り合うターゲット部材間に形成される間隙がバッキングチューブの中心軸周りを周回し、間隙が複数の凹部のそれぞれと交差する。接合材は、バッキングチューブとターゲット本体との間に設けられ、上記バッキングチューブと複数のターゲット部材のそれぞれとを接合する。遮蔽部材は、複数の凹部のそれぞれを跨ぐように接合材とターゲット本体との間に配置され、間隙を接合材の側から遮蔽する。
Related patent documents
国際事務局に記録されている最新の書誌情報