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1. WO2020250586 - スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

公開番号 WO/2020/250586
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/017913
国際出願日 27.04.2020
IPC
C23C 14/34 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C04B 35/01 2006.1
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01酸化物を基とするもの
H01L 21/363 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
CPC
C04B 35/01
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
01based on oxide ceramics
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 和田 優 WADA, Masaru
  • 齋藤 勝仁 SAITOU, Katsuhito
  • 川越 裕 KAWAGOE, Yuu
  • 武末 健太郎 TAKESUE, Kentarou
  • 高橋 一寿 TAKAHASHI, Kazutoshi
代理人
  • 大森 純一 OMORI, Junichi
優先権情報
2019-10793210.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
要約
(EN) [Problem] To provide a sputtering target with which particles and abnormal discharge can be suppressed even if the sputtering target is long and cylindrical. [Solution] A sputtering target, wherein a target body comprises a plurality of target members that are arranged along the outer circumferential surface of a cylindrical backing tube, and that have a circular arc-shaped cross section. The plurality of target members are each disposed so as to be separated from each other around a central axis of the backing tube. A gap that is formed between the target members which are aligned around the central axis extends in the central axis direction of the backing tube. A bonding material is interposed between the backing tube and the target body so as to bond the backing tube and the plurality of target members to each other. A shielding member is provided between the bonding material and the target body so as to shield the gap from the bonding material side.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une cible de pulvérisation cathodique permettant d'éviter les particules et les décharges anormales, même si la cible de pulvérisation est longue et cylindrique. La solution selon l'invention porte sur une cible de pulvérisation, un corps de cible comprenant une pluralité d'éléments cibles qui sont agencés le long de la surface circonférentielle externe d'un tube de support cylindrique, et qui ont une section transversale en forme d'arc circulaire. La pluralité d'éléments cibles sont chacun disposés de manière à être séparés les uns des autres autour d'un axe central du tube de support. Un espace formé entre les éléments cibles alignés autour de l'axe central s'étend dans la direction d'axe central du tube de support. Un matériau de liaison est intercalé entre le tube de support et le corps de cible de façon à lier entre eux le tube de support et la pluralité d'éléments cibles. Un élément de protection est disposé entre le matériau de liaison et le corps cible de façon à protéger l'espace depuis le côté du matériau de liaison.
(JA) 【課題】長く、円筒型であっても、パーティクル、異常放電が抑制されるスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット本体は、筒状のバッキングチューブの外周面に沿うように並設され円弧状の断面を有する複数のターゲット部材を含む。複数のターゲット部材のそれぞれは、バッキングチューブの中心軸周りに離間するように配置される。中心軸周りに並ぶターゲット部材間に形成される間隙は、バッキングチューブの中心軸方向に延在する。接合材は、バッキングチューブとターゲット本体との間に介設され、バッキングチューブと複数のターゲット部材のそれぞれとを接合する。遮蔽部材は、接合材とターゲット本体との間に設けられ、間隙を接合材の側から遮蔽する。
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